全自動RTP（高速熱処理）装置 (株式会社インターテック販売) のカタログ情報
全自動RTP（高速熱処理）装置
製品個別カタログ
カタログ紹介
4～8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。
ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。
熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。
温度測定範囲は20℃～1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。
真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。
Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。
累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。
【仕様】
■ 温度制御範囲：200～1250℃
■ 温度制御方式：マルチPIDコントロール
■ 面内温度均一性：≦±3％（600℃以下）、≦±1.5％（600℃以上）
■ 面内抵抗値均一性：面内抵抗値均一性
■ 真空：〇
■ ウエハ寸法：6～8
■ 加熱ランプ：タングステン・ハロゲンランプ
■ ウエハ搬送：フルオート（５軸ロボット）
■ プロセスガス系統数：4
■ ウエハ位置合わせ：センタリング、OCR、アライナー（Op）
■ 昇温レート：25℃/秒（サセプタ使用時）
■ サセプタ：SiCコーティングカーボン
■ 装置外形寸法：D：1580 W：1500 H：1800mm
■ アプリケーション
・インプラ後のアニーリング
・ドーパント活性化
・金属膜コンタクトアニーリング
・シリサイド形成（チタン、コバルト、ニッケル、白金など）
・ソース/ドレインアニーリング
ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。
熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。
温度測定範囲は20℃～1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。
真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。
Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。
累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。
【仕様】
■ 温度制御範囲：200～1250℃
■ 温度制御方式：マルチPIDコントロール
■ 面内温度均一性：≦±3％（600℃以下）、≦±1.5％（600℃以上）
■ 面内抵抗値均一性：面内抵抗値均一性
■ 真空：〇
■ ウエハ寸法：6～8
■ 加熱ランプ：タングステン・ハロゲンランプ
■ ウエハ搬送：フルオート（５軸ロボット）
■ プロセスガス系統数：4
■ ウエハ位置合わせ：センタリング、OCR、アライナー（Op）
■ 昇温レート：25℃/秒（サセプタ使用時）
■ サセプタ：SiCコーティングカーボン
■ 装置外形寸法：D：1580 W：1500 H：1800mm
■ アプリケーション
・インプラ後のアニーリング
・ドーパント活性化
・金属膜コンタクトアニーリング
・シリサイド形成（チタン、コバルト、ニッケル、白金など）
・ソース/ドレインアニーリング
カタログについて
- カタログ名
- 全自動RTP（高速熱処理）装置
- 取り扱い企業
- 株式会社インターテック販売
- 該当カテゴリ
- 半導体製造装置
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
