OptiMOS™ 6 200 V MOSFET (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
OptiMOS™ 6 200 V MOSFET
製品個別カタログ
カタログ紹介
スタティック スイッチング アプリケーションからハード スイッチングおよびソフト スイッチングテクノロジーベースの高周波アプリケーションまで、幅広いアプリケーションの要求に対応できるように設計されています。
OptiMOS™ 6 200 Vテクノロジーは、先進的なセル構造を採用し、200 Vクラスにおいて業界最小レベルのRDS(on)、Qrrを実現しています。これにより、前世代製品に比べて、比類ない効率と電力密度を達成しています。
■主な特長
● 業界で最も低いレベルのRDS(on) 200 V MOSFET
● 業界で最も低いレベルのQrr 200 V MOSFET
● 200 Vの前世代品に比べた特長:
● RDS(on)を最大42%低減
● Qrr(typ)を最大89%低減
● FOMgを36%低減
● OptiMOS™ 5に比べてダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
● 高いキャパシタンス直線性
● SOAが向上
● Vgs(th) のばらつきが小さく±750 mV
● 高いアバランシェ耐量
● 最大Tj は175℃、モイスチャーレベルMSL1
■主な利点
● 低導通損失、低スイッチング損失
● 優れたEMI性能による安定動作
● 並列動作時の優れた電流分配
● 堅牢性の向上
● システムの信頼性向上
OptiMOS™ 6 200 Vテクノロジーは、先進的なセル構造を採用し、200 Vクラスにおいて業界最小レベルのRDS(on)、Qrrを実現しています。これにより、前世代製品に比べて、比類ない効率と電力密度を達成しています。
■主な特長
● 業界で最も低いレベルのRDS(on) 200 V MOSFET
● 業界で最も低いレベルのQrr 200 V MOSFET
● 200 Vの前世代品に比べた特長:
● RDS(on)を最大42%低減
● Qrr(typ)を最大89%低減
● FOMgを36%低減
● OptiMOS™ 5に比べてダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
● 高いキャパシタンス直線性
● SOAが向上
● Vgs(th) のばらつきが小さく±750 mV
● 高いアバランシェ耐量
● 最大Tj は175℃、モイスチャーレベルMSL1
■主な利点
● 低導通損失、低スイッチング損失
● 優れたEMI性能による安定動作
● 並列動作時の優れた電流分配
● 堅牢性の向上
● システムの信頼性向上
カタログについて
- カタログ名
- OptiMOS™ 6 200 V MOSFET
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
