1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2、上面放熱Q-DPAKデュアル ハーフブリッジ パッケージ IMSQ120R0xxM2HH (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2、上面放熱Q-DPAKデュアル ハーフブリッジ パッケージ IMSQ120R0xxM2HH
製品個別カタログ
カタログ紹介
インフィニオンのCoolSiC™ MOSFET は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、アプリケーションにおける最小の損失と動作における最高の信頼性の両方を実現するように最適化されています。ディスクリートのCoolSiC™ MOSFET ポートフォリオは、400 V、650 V、750 V、1200 V、1700 V、および2000 V の電圧クラスで提供され、7～1000 mΩ までのオン抵抗を備えています。
カタログについて
- カタログ名
- 1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2、上面放熱Q-DPAKデュアル ハーフブリッジ パッケージ IMSQ120R0xxM2HH
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- SiC MOSFET パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
