CoolSiC™ MOSFET 400 V および 440 V Generation 2 (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
CoolSiC™ MOSFET 400 V および 440 V Generation 2
製品個別カタログ
カタログ紹介
CoolSiC™ MOSFET 400 Vおよび440 V Gen 2は、高い堅牢性、超低スイッチング損失、オン抵抗を兼ね備え、システムコストの改善を実現します。2レベルおよび3レベルのハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジーにおいて、きわめて高い電力密度とシステム効率を実現し、AIサーバーの電源装置、SMPS、モーター制御、再生可能エネルギー、エネルギー貯蔵、クラスDアンプにおける電力変換をターゲットとしています。
■主な特長
●650 V SiC MOSFETよりも優れた性能指数 (FOM)
● 低Qfrの高速整流ダイオード
● 低いRDS(on) の温度依存性
● ゲート閾値電圧 VGS(th) = 4.5 V
● ユニポーラ駆動 (VGSoff=0)
● 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
● スイッチング速度の高い制御性
● 高dV / dt動作中の低オーバーシュート
● .XT相互接続テクノロジー
■主な利点
● 高いシステム効率
● 高電力密度設計
● 高い設計上の堅牢性
● EMIフィルタリングの必要性を低減
● ハードスイッチング トポロジーでの使用
■主な特長
●650 V SiC MOSFETよりも優れた性能指数 (FOM)
● 低Qfrの高速整流ダイオード
● 低いRDS(on) の温度依存性
● ゲート閾値電圧 VGS(th) = 4.5 V
● ユニポーラ駆動 (VGSoff=0)
● 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
● スイッチング速度の高い制御性
● 高dV / dt動作中の低オーバーシュート
● .XT相互接続テクノロジー
■主な利点
● 高いシステム効率
● 高電力密度設計
● 高い設計上の堅牢性
● EMIフィルタリングの必要性を低減
● ハードスイッチング トポロジーでの使用
カタログについて
- カタログ名
- CoolSiC™ MOSFET 400 V および 440 V Generation 2
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
