1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2 (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報

1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2

製品個別カタログ

カタログ紹介

400~2000 VまでのCoolSiC™ MOSFETディスクリートは、ハードスイッチングおよび共振スイッチング トポロジーに最適です
上面放熱Q-DPAKシングルスイッチ パッケージの1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2は、EV充電、太陽光発電、無停電電源装置 (UPS)、SSCB、産業用ドライブ、AI、CAVなど、幅広い産業アプリケーションに特化して設計されています。
Q-DPAKパッケージは、優れた放熱性と容易な組み立てによりシステムコストの削減を実現します。底面放熱ソリューションに比べて、上面放熱デバイスは、より最適化されたPCBレイアウトを実現し、寄生部品や浮遊インダクタンスの影響を低減するとともに、熱管理機能が向上を提供します

カタログについて

カタログ名
1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2
取り扱い企業
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
会社区分
メーカー
該当カテゴリ
パワーMOSFET
カタログタイプ
製品個別カタログ

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