形 PTB-802 透過形光電センサ-PTB-802-5L
形 PTB-802 透過形光電センサ-センサテック株式会社

形 PTB-802 透過形光電センサ センサテック株式会社

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この製品について

用途 自動改札機用人体通過検知 エスカレータ用人体通過検知 自動販売機の排出検知 赤外線リモートスイッチプラットフォームの安全管理 ATM用人感センサ 自動ドア用人感センサ 生産ラインの物体通過検出 特長 赤外光変調方式を採用しているため、外乱光(10,000Lx) に強いセンサです。 小形で長距離の検出が可能です。 負荷を直接開閉できるオープンドレイン出力タイプ(Nch MOSFET) のため配線が簡単です。 強ロックタイプのコネクタを使用していますので、メンテナンスが容易です。 このセンサは一般的に「投光器」と「受光器」をセットで使用して頂くセンサになります。 特殊な使用方法以外では、「投光器のみ」や「受光器のみ」の使用はできませんのでご注意ください。 ご不明な点があれば弊社・営業までお問い合わせください。

  • シリーズ

    形 PTB-802 透過形光電センサ



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形 PTB-802 透過形光電センサ 品番6件

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保護等級

保護構造

検出距離

検出距離

重量

重量
電源電圧 消費電流 使用電圧範囲 投・受光器 オプション(別売) ケース材質 コネクタ ピーク発光波波長 使用温度範囲 使用湿度範囲 出力 出力残留電圧 外乱昼光許容照度 応答時間 検出面 絶縁抵抗 耐振動 耐衝撃 耐電圧 動作形態
形 PTB-802 透過形光電センサ-品番-PTB-802-5L

PTB-802-5L

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IP50

IP50

8000 mm

8m

6 g

約6g
DC5V DC50mA 以下 DC4.5V~5.5V 投光器 コネクタハーネス : CNH-GHR03S28-300 ABS 樹脂 コネクタ: BM03B-GHS (3ピン)(日本圧着端子製造(株)製) 【接続】ハウジング: GHR-03V-S、コンタクト: SSHL-002T-P0.2 (日本圧着端子製造(株)製) 940nm -10 ~ 55℃(保存時: -10 ~ 65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH 以下(保存時: 90%RH 以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 DC1V 以下(負荷電流DC100mA) 10000 Lx 以下 100ms 以下 前面 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久: 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間(非通電時) 耐久: 200m/s² (約20G) X.Y.Z 方向各3 回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) -
形 PTB-802 透過形光電センサ-品番-PTB-802-12L

PTB-802-12L

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IP50

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約6g
DC12V DC50mA 以下 DC10.8V~13.2V 投光器 コネクタハーネス : CNH-GHR03S28-300 ABS 樹脂 コネクタ: BM03B-GHS (3ピン)(日本圧着端子製造(株)製) 【接続】ハウジング: GHR-03V-S、コンタクト: SSHL-002T-P0.2 (日本圧着端子製造(株)製) 940nm -10 ~ 55℃(保存時: -10 ~ 65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH 以下(保存時: 90%RH 以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 DC1V 以下(負荷電流DC100mA) 10000 Lx 以下 100ms 以下 前面 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久: 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間(非通電時) 耐久: 200m/s² (約20G) X.Y.Z 方向各3 回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) -
形 PTB-802 透過形光電センサ-品番-PTB-802-5D

PTB-802-5D

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約6g
DC5V DC10mA 以下 DC4.5V ~ 5.5V 受光器 コネクタハーネス : CNH-GHR03S28-300 ABS 樹脂 コネクタ: BM03B-GHS (3ピン)(日本圧着端子製造(株)製) 【接続】ハウジング: GHR-03V-S、コンタクト: SSHL-002T-P0.2 (日本圧着端子製造(株)製) 940nm -10 ~ 55℃(保存時: -10 ~ 65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH 以下(保存時: 90%RH 以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 DC1V 以下(負荷電流DC100mA) 10000 Lx 以下 100ms 以下 前面 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久: 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間(非通電時) 耐久: 200m/s² (約20G) X.Y.Z 方向各3 回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) ライトON (入光時ON)
形 PTB-802 透過形光電センサ-品番-PTB-802-5D1

PTB-802-5D1

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DC5V DC10mA 以下 DC4.5V ~ 5.5V 受光器 コネクタハーネス : CNH-GHR03S28-300 ABS 樹脂 コネクタ: BM03B-GHS (3ピン)(日本圧着端子製造(株)製) 【接続】ハウジング: GHR-03V-S、コンタクト: SSHL-002T-P0.2 (日本圧着端子製造(株)製) 940nm -10 ~ 55℃(保存時: -10 ~ 65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH 以下(保存時: 90%RH 以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 DC1V 以下(負荷電流DC100mA) 10000 Lx 以下 100ms 以下 前面 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久: 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間(非通電時) 耐久: 200m/s² (約20G) X.Y.Z 方向各3 回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) ダークON (遮光時ON)
形 PTB-802 透過形光電センサ-品番-PTB-802-12D

PTB-802-12D

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IP50

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DC12V DC10mA 以下 DC10.8V ~ 13.2V 受光器 コネクタハーネス : CNH-GHR03S28-300 ABS 樹脂 コネクタ: BM03B-GHS (3ピン)(日本圧着端子製造(株)製) 【接続】ハウジング: GHR-03V-S、コンタクト: SSHL-002T-P0.2 (日本圧着端子製造(株)製) 940nm -10 ~ 55℃(保存時: -10 ~ 65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH 以下(保存時: 90%RH 以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 DC1V 以下(負荷電流DC100mA) 10000 Lx 以下 100ms 以下 前面 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久: 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間(非通電時) 耐久: 200m/s² (約20G) X.Y.Z 方向各3 回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) ライトON (入光時ON)
形 PTB-802 透過形光電センサ-品番-PTB-802-12D1

PTB-802-12D1

要見積もり

IP50

IP50

8000 mm

8m

6 g

約6g
DC12V DC10mA 以下 DC10.8V ~ 13.2V 受光器 コネクタハーネス : CNH-GHR03S28-300 ABS 樹脂 コネクタ: BM03B-GHS (3ピン)(日本圧着端子製造(株)製) 【接続】ハウジング: GHR-03V-S、コンタクト: SSHL-002T-P0.2 (日本圧着端子製造(株)製) 940nm -10 ~ 55℃(保存時: -10 ~ 65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH 以下(保存時: 90%RH 以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 DC1V 以下(負荷電流DC100mA) 10000 Lx 以下 100ms 以下 前面 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久: 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間(非通電時) 耐久: 200m/s² (約20G) X.Y.Z 方向各3 回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) ダークON (遮光時ON)

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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会社概要

センサテック株式会社は、京都府亀岡市に本社・研究所を置く、電子検出機器・電子制御機器・医療用機器・美容機器の開発・設計・製造を事業内容とする企業です。 創業は1983年、設立は1988年です。 近接センサ・磁気センサ・...

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