形 PRB- - 拡散反射形光電センサ センサテック株式会社
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この製品について
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シリーズ
形 PRB- - 拡散反射形光電センサ
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取扱企業
センサテック株式会社
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形 PRB- - 拡散反射形光電センサ 品番18件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) |
保護等級 保護構造 |
重量 重量 |
電源電圧 | オプション(別売) | ケース材質 | コネクタ | ピーク発光波波長 | 使用温度範囲 | 使用湿度範囲 | 出力 | 出力残留電圧 | 外乱昼光許容照度 | 応答時間 | 検出面 | 消費電流 | 絶縁抵抗 | 耐振動 | 耐衝撃 | 耐電圧 | 動作形態 |
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PRB-301-5 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC5V （使用電圧範囲:DC4.5V ~ 5.5V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-501-5 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC5V （使用電圧範囲:DC4.5V ~ 5.5V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-102-5 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC5V （使用電圧範囲:DC4.5V ~ 5.5V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-301-51 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC5V （使用電圧範囲:DC4.5V ~ 5.5V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-501-51 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC5V （使用電圧範囲:DC4.5V ~ 5.5V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-102-51 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC5V （使用電圧範囲:DC4.5V ~ 5.5V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-301-12 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC12V （使用電圧範囲:DC10.8V ~ 13.2V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-501-12 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC12V （使用電圧範囲:DC10.8V ~ 13.2V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-102-12 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC12V （使用電圧範囲:DC10.8V ~ 13.2V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-301-121 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC12V （使用電圧範囲:DC10.8V ~ 13.2V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-501-121 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC12V （使用電圧範囲:DC10.8V ~ 13.2V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-102-121 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC12V （使用電圧範囲:DC10.8V ~ 13.2V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-301-24 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC24V （使用電圧範囲:DC21.6V ~ 26.4V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-501-24 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC24V （使用電圧範囲:DC21.6V ~ 26.4V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-102-24 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC24V （使用電圧範囲:DC21.6V ~ 26.4V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ライトON （入光時ON） | |
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PRB-301-241 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC24V （使用電圧範囲:DC21.6V ~ 26.4V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-501-241 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC24V （使用電圧範囲:DC21.6V ~ 26.4V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） | |
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PRB-102-241 |
要見積もり |
IP50 IP50 |
6 g 約6g |
DC24V （使用電圧範囲:DC21.6V ~ 26.4V) | コネクタハーネス ： CNH-GHR03S28-300 | ABS 樹脂 | コネクタ：BM03B-GHS (3ピン)（日本圧着端子製造㈱製） 【接続】ハウジング：GHR-03V-S、コンタクト：SSHL-002T-P0.2 （日本圧着端子製造㈱製） | 940nm | -10 ~ 55℃（保存時： -10 ~ 65℃）（ただし氷結、結露しないこと） | 85％RH 以下（保存時： 90％RH 以下）（ただし結露しないこと） | Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 | DC1V 以下（負荷電流DC100mA) | 10000 Lx 以下 | 100ms 以下 | 前面 | DC50mA 以下 | 50MΩ以上 DC500V メガにて（充電部一括とケース間） | 耐久： 10 ~ 55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z 方向各2 時間（非通電時) | 耐久： 200m/s² （約20G) X.Y.Z 方向各3 回（非通電時） | AC500V 50/60Hz 1 分間（充電部一括とケース間） | ダークON （遮光時ON） |
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