分析事例｜FinFET技術の進化に関する材料分析研究：22 nmから7 nmへ (ユーロフィンイーエージー株式会社) のカタログ情報
分析事例｜FinFET技術の進化に関する材料分析研究：22 nmから7 nmへ
ノウハウカタログ
カタログ紹介
7nm FinFET（フィン型トランジスタ）という新しい半導体技術は、2012年の22nm、2014年の14nm、2016年の10nmといった先行技術の進化を経て、2018年から半導体の本格的な生産に導入されました
この「7nm」という数字は、実際のチップ上の部品のサイズとは異なりますが、この技術を使うことでトランジスタをさらに小さくすることができます。その結果、半導体チップの面積をより効率的に使えるようになり、消費電力も抑えることが可能になります。
この資料では、TEM分析（透過型電子顕微を用いて、以前の22nm FinFET技術と、最新の7nm FinFET技術で使われている材料がどのように違うのかを比較してご説明しています。
この「7nm」という数字は、実際のチップ上の部品のサイズとは異なりますが、この技術を使うことでトランジスタをさらに小さくすることができます。その結果、半導体チップの面積をより効率的に使えるようになり、消費電力も抑えることが可能になります。
この資料では、TEM分析（透過型電子顕微を用いて、以前の22nm FinFET技術と、最新の7nm FinFET技術で使われている材料がどのように違うのかを比較してご説明しています。
カタログについて
- カタログ名
- 分析事例｜FinFET技術の進化に関する材料分析研究：22 nmから7 nmへ
- 取り扱い企業
- ユーロフィンイーエージー株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- 元素分析装置 半導体パッケージ 透過型電子顕微鏡 表面分析
- カタログタイプ
- ノウハウカタログ
