時間領域テラヘルツ分光に最適な製品を提案 パルステラヘルツソリューション Photoconductive Switches トプティカフォトニクス株式会社
この製品について
■パルステラヘルツ発生用コンパクトモジュール
・ファイバー結合タイプInGaAsテラヘルツアンテナ ・SM/PMファイバーピグテイル、シリコンレンズを内蔵 ・広いバンド幅 > 6THz,出力70µW (典型値) ・TeraFlash pro及びTeraFlash smartシステムでコアコンポーネントとして採用 最先端技術でのパルステラヘルツ発生：InGaAsアンテナで30μWのパワー並びに6THz以上のバンド幅を発生させることができます。フラウンホーファーハインリッヒヘルツ研究所 (ドイツ、ベルリン) により開発されたエミッター／ディテクターモジュールはそれぞれ、ストリップラインとダイポールアンテナを備えておりシリコンレンズとSM/PMファイバーでパッケージされています。 これらのアンテナはTeraFlash pro、及びTeraFlash smartのコアコンポーネントとして使われていますが、個々のモジュールとして使用することもできます。-
シリーズ
時間領域テラヘルツ分光に最適な製品を提案 パルステラヘルツソリューション Photoconductive Switches
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取扱企業
トプティカフォトニクス株式会社
時間領域テラヘルツ分光に最適な製品を提案 パルステラヘルツソリューション Photoconductive Switches 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 仕様 | テラヘルツエミッタ― | テラヘルツレシーバ | エミッタ―／レシーババンド幅 | 半導体種別 | 入力波長 | テラヘルツ出力 (典型値) | パッケージ | 推奨動作条件 |
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Photoconductive Switches |
要見積もり | #EK-000781 (エミッタ―)／#EK-000782 (レシーバ) | InGaAs/InP光伝導スイッチ、100µmストライプアンテナ | InGaAs/InP光伝導スイッチ、25µmダイポールアンテナ、10µmギャップ幅 | 6THz | InGaAs and InAIAs in InP、マルチレイヤ―構造 | 1.5µm | 70µW@20mWレーザー入力時 | シリンドリカル,Ø25mmSiレンズ内蔵、SM/PMファイバーピッグテール |
レーザー入力パワー：20mW (平均値) 最大バイアス：+100V (単極、エミッター) 、±3V (レシーバ、テスト時のみ) |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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