GaN-T-C-P-C50 | GaNウェーハ GaNテンプレート (φ2インチ)
株式会社豊港
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GaN膜厚
オリフラ方位。長さ
基板構造
導電タイプ
方位面
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直径
表面仕上げ
転移欠陥密度
電気抵抗率 (300K)
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型番
GaN-T-C-P-C50
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取扱企業
株式会社豊港
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GaNウェーハ GaNテンプレート (φ2インチ) GaN-T-C-P-C50の性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | GaN膜厚 | オリフラ方位。長さ | 基板構造 | 導電タイプ | 方位面 | 有効面積 | 梱包方法 | 直径 | 表面仕上げ | 転移欠陥密度 | 電気抵抗率 (300K) |
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要見積もり | 4um |
オリフラ方位 (1－100) オリフラ長さ16 ± 1mm |
GaN / サファイアウェーハ (0001) 面 | P型 | C面 (0001) 面 ± 0.5° | 90%以上 |
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット |
φ50.8mm ± 0.1mm |
Ga面：CMP仕上げ N面：ファイングランディング (オプション：光学鏡面仕上げ) |
5×108個/cm2以下 | ~10Ω・cm |
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