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OptiMOS™ 5 パワーMOSFET 60 V、TOLTパッケージ
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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OptiMOS™ パワーMOSFET 25 V~150 V PQFN 5 x 6 m² ソース-ダウン センターゲートおよび コーナーゲート構造
650 V CoolMOS™ CFD7 スーパージャンクション MOSFET、QDPAK および TO-Leadless パッケージ
EZ-PD™ PMG1-S3 CYPM1321-97BZXI
D2PAK-7パッケージ搭載 1200 V CoolSiC™ MOSFET G2
BGSA148MN10、 BGSA149MN10 - 共振ストッパー付き超小型SP4Tアンテナチューナー
EVAL-2ED21814 - 650 V / 2.5 A ブートストラップダイオード内蔵ハーフブリッジゲートドライバー 2ED21814S06F用評価ボード
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OptiMOS™ 5 パワーMOSFET ロジックレベル60V & 80V、PQFN 3.3 x 3.3 ソースダウン+センターゲート型 両面冷却パッケージ
KIT_LGMB_BOM004 - 低電圧駆動スケーラブル パワー デモボード用キット マスター マザーボード
EVAL_BDPS_DD_TOLG – IPTG014N10NM5とBAS3010Bを使用した双方向バッテリー切断用 TOLG電源搭載評価ボード
SuperSO8 および PQFN 3.3x3.3 の P チャネルパワー MOSFET
TO263-7パッケージの新世代1200 V CoolSiC™ Trench MOSFET オンボードチャージャー、DC-DCアプリケーション向けSiCパワー半導体で e-モビリティを推進
Power MOSFET (Si/SiC)
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6種類の商品があります
パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
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8種類の商品があります
パワー 窒化ガリウム (GaN)
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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ
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パワー リニア電圧レギュレーター (LDO)
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パワー ライティングIC
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パワー ダイオードとサイリスタ (Si/SiC)
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パワー ゲートドライバーIC
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パワー モーター制御IC
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パワー ソリッドステートリレー
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汎用ESDデバイス
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