広帯域ゲインモジュール | 半導体レーザーダイオード ゲインチップ/ゲインモジュール
セブンシックス株式会社
価格 (税抜)
セブンシックス株式会社の対応状況
返答率
100.0%
平均返答時間
0.5時間
型番説明
■広帯域ゲインモジュール波長: 1,030 ~ 1,140nm 出力: 130 ~ 280mW ・1,030, 1,060, 1,140nmを中心とした波長可変 (最大150nm可変) 光源 ・狭線幅チューナブルレーザ用途 ・TECと高性能サーミスタ内臓による高い温度安定性 ■特長・用途 ・Innolume の ゲインモジュール ( Gain-Module ) は ゲインチップ (Gain-Chip) によく似た小型光学デバイスですが、ゲインモジュールの方端では光が シングルモードファイバ (SMF) に結合されています。 ・このゲインモジュールの構成は光ファイバ出力のチューナブルレーザ構築に非常に便利な構成です。 ・Innolume の製造設備でのファイバ結合により、光ファイバ結合効率が最適化されており、長期間の安定性と非常に信頼性に優れた製品となっております。 ・Innolume のゲインモジュールを用いれば、典型的なベアのゲインチップを使用時に必要な光学部品点数を大幅に省略できるためシステムの信頼性を向上しながらもコスト削減が達成されます。 ・さらには、ゲインモジュールは 内蔵の TEC と高性能サーミスタにより高い温度安定性を示します。 ・用途：狭線幅チューナブルレーザ用
型番フィルター
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出力パワー (mW)
調整波長 (nm)
ストライプの長さ (mm)
スロー軸ビーム発散 (deg)
チューニング幅
チューニング幅の中心波 (nm)
ファスト軸ビーム発散 (deg)
フィードバック無しのASE光 (mW)
動作電流 (mA)
外部共振器の出力 (mW)
最大出力の波長
RMS (dB)
チューニングレンジ (nm)
チューニングレンジ中心波長 (nm)
ファイバーからの出力 (mW)
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型番
広帯域ゲインモジュール
-
取扱企業
セブンシックス株式会社
レーザーダイオード注目ランキング
レーザーダイオードの製品36点中、注目ランキング上位6点
レーザーダイオード注目ランキング (対応の早い企業)
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半導体レーザーダイオード ゲインチップ/ゲインモジュール 広帯域ゲインモジュールの性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | RMS (dB) | スロー軸ビーム発散 (deg) | チューニングレンジ (nm) | チューニングレンジ中心波長 (nm) | ファイバーからの出力 (mW) | ファスト軸ビーム発散 (deg) | 動作電流 (mA) | 最大出力の波長 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり | 0.05~0.2 | 6~7 | 120~130 | 1,030~1,140 | 130~280 | 16~39 | 400~600 | 1,050~1,170 |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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