ゲインチップ | 半導体レーザーダイオード ゲインチップ/ゲインモジュール
セブンシックス株式会社
価格 (税抜)
セブンシックス株式会社の対応状況
返答率
100.0%
平均返答時間
0.5時間
型番説明
■ゲインチップ 波長 780 ~ 1,330nm 出力: 30 ~ 350mW ・波長可変光源向けのゲインチップ ・外部共振器システムでの波長ロック動作に最適 ■特長・用途 ・片側光アクセス (タイプA、B) ・二面性光アクセス (タイプC、D) ・片側光アクセスゲインチップは、出力パワーを外部共振器から切り離す方式の動作に最適 ・一般的にはTO-canパッケージで提供されます ・用途：外部共振器型チューナブルレーザー
型番フィルター
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出力パワー (mW)
調整波長 (nm)
ストライプの長さ (mm)
スロー軸ビーム発散 (deg)
チューニング幅
チューニング幅の中心波 (nm)
ファスト軸ビーム発散 (deg)
フィードバック無しのASE光 (mW)
動作電流 (mA)
外部共振器の出力 (mW)
最大出力の波長
RMS (dB)
チューニングレンジ (nm)
チューニングレンジ中心波長 (nm)
ファイバーからの出力 (mW)
-
型番
ゲインチップ
-
取扱企業
セブンシックス株式会社
レーザーダイオード注目ランキング
レーザーダイオードの製品36点中、注目ランキング上位6点
レーザーダイオード注目ランキング (対応の早い企業)
平均返答時間が24時間以内の企業の中での注目ランキング
半導体レーザーダイオード ゲインチップ/ゲインモジュール ゲインチップの性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | ストライプの長さ (mm) | スロー軸ビーム発散 (deg) | チューニング幅 | チューニング幅の中心波 (nm) | ファスト軸ビーム発散 (deg) | フィードバック無しのASE光 (mW) | 動作電流 (mA) | 外部共振器の出力 (mW) | 最大出力の波長 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり | 1.5~3 | 4~10 | 40~160 | 780~1,330 | 17~40 | 1.5~110 | 150~800 | 30~350 | 780~1,340 |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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