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プラズマCVD装置の製品19点中、注目ランキング上位6点
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商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 対象 | 処理可能範囲 | 処理時間 | 膜厚分布 | 膜厚 | 使用ガス | 主排気真空ポンプ | 放電用RF電源 | 基板加熱ヒータ | 操作 |
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ロードロック式 プラズマCVD装置 |
要見積もり | 生産用 | 600 × 600 (mm) | 約4.5時間 / バッチ (SiO2 15μ成膜時) | 560x560 (mm)面内士7%以下 | 15μm (SiO2) | Ar、N2O、SiH4 (Ar希釈) :窒素 (ベント用、パージ用) | 油拡散ポンプ (オプション:ターボ分子ポンプ) | 13.56MHz (1.5kW) | 加熱温度360°C±10°C (最大380°C) | タッチパネルによる全自動 |