プラズマCVD装置注目ランキング
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薄膜形成装置 プラズマCVD装置 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 対象 | 処理可能範囲 | 処理時間 | 膜厚分布 | 膜厚 | 使用ガス | 主排気真空ポンプ | 放電用RF電源 | 基板加熱ヒータ | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ロードロック式 プラズマCVD装置 |
要見積もり | 生産用 | 600 × 600 (mm) | 約4.5時間 / バッチ (SiO2 15μ成膜時) | 560x560 (mm)面内士7%以下 | 15μm (SiO2) | Ar、N2O、SiH4 (Ar希釈) ：窒素 (ベント用、パージ用) | 油拡散ポンプ (オプション：ターボ分子ポンプ) | 13.56MHz (1.5kW) | 加熱温度360°C±10°C (最大380°C) | タッチパネルによる全自動 |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
