制御・計測・センシング
駆動・機械要素・電子制御部品
産業別カテゴリ
電源・エネルギー・熱処理機器
安全・保護・環境対策
材料・素材・ケミカル
電気・電子部品
構造部品・締結要素
ソフトウェア・ネットワーク
サービス
その他
全てのカテゴリ
閲覧履歴
返答率
100.0%
返答時間
13.9時間
シリーズ
GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate取扱企業
株式会社豊港カテゴリ
もっと見る
GaNパワーデバイスの製品50点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
返答時間が24時間以内の企業の中での注目ランキング
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 直径 | ウェーハ厚 | 方位面 | 導電タイプ | 1次オリフラ方位。長さ | 2次オリフラ方位。長さ | 平坦度TTV | 反りBOW | 電気抵抗率 (300K) | 転移欠陥密度 | 有効面積 | 表面仕上げ | 梱包方法 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GaN-FS-C-N-C50 |
要見積もり |
φ50.8mm ± 0.1mm |
350 ± 25 um |
C面 (0001) 面 ± 1° |
N型 (Undoped) |
オリフラ方位 (1-100) ±0.5° |
オリフラ方位 (11-20) ±3° |
15um以下 |
20um以下 |
＜ 0.5Ω・cm |
5×105個/cm2以下 |
90%以上 |
Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 |
クリーンルーム内にて窒素封入 |
|
|
|
GaN-FS-C-SI-C50 |
要見積もり |
φ50.8mm ± 0.1mm |
350 ± 25 um |
C面 (0001) 面 ± 1° |
半-絶縁性 |
オリフラ方位 (1-100) ±0.5° |
オリフラ方位 (11-20) ±3° |
15um以下 |
20um以下 |
＞106Ω・cm |
5×105個/cm2以下 |
90%以上 |
Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 |
クリーンルーム内にて窒素封入 |
GaNパワーデバイスをフィルターから探すことができます
