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GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate取扱企業
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 直径 | ウェーハ厚 | 方位面 | 導電タイプ | 1次オリフラ方位。長さ | 2次オリフラ方位。長さ | 平坦度TTV | 反りBOW | 電気抵抗率 (300K) | 転移欠陥密度 | 有効面積 | 表面仕上げ | 梱包方法 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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GaN-FS-C-N-C50 |
要見積もり | φ50.8mm ± 0.1mm | 350 ± 25 um | C面 (0001) 面 ± 1° | N型 (Undoped) |
オリフラ方位 (1-100) ±0.5° オリフラ長さ 16 ± 1mm |
オリフラ方位 (11-20) ±3° オリフラ長さ 8 ± 1mm |
15um以下 | 20um以下 | ＜ 0.5Ω・cm | 5×105個/cm2以下 | 90%以上 |
Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ファイングラウンド (非鏡面) |
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット |
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GaN-FS-C-SI-C50 |
要見積もり | φ50.8mm ± 0.1mm | 350 ± 25 um | C面 (0001) 面 ± 1° | 半-絶縁性 |
オリフラ方位 (1-100) ±0.5° オリフラ長さ 16 ± 1mm |
オリフラ方位 (11-20) ±3° オリフラ長さ 8 ± 1mm |
15um以下 | 20um以下 | ＞106Ω・cm | 5×105個/cm2以下 | 90%以上 |
Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ファイングラウンド (非鏡面) |
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット |
