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LDO 2A、1.3V～6.0V、DDRメモリ向けターミネーションレギュレータ、AEC-Q100認定 MPQ20073-AEC1-MPQ20073-AEC1
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■概要

MPQ20073は、出力電圧 (VTT) 付きDDRメモリ用ターミネーションレギュレータを内蔵し、バッファされたVTTREF出力はVREFの半分です。VTT-LDOは、2Aのシンク / ソーストラッキング用ターミネーションレギュレータです。スペースが重視される低コストで少ない外付け部品数のシステム向けに特別に設計されています。 MPQ20073は、わずか20µF (2 x 10µF) のセラミック出力コンデンサで高速過渡応答を維持します。MPQ20073は、ケルビン検出機能をサポートしています。MPQ20073は、露出パッド付きパッケージを備えた8ピンのMSOPパッケージで提供されます。

■機能と利点

・産業用 / 自動車用温度範囲の保証 ・VDDQ電圧範囲 1.3V〜6.0V ・DDR終端用の正確なVREF / 2の分圧リファレンス付き、最大2Aのシンク / ソース・リニアレギュレータを内蔵 ・20µFしか必要としないセラミック出力コンデンサ ・ドライブ電圧: 3.3V ・1.3V入力 (VDDQ) により、総消費電力を削減 ・VTTおよびVTTREF用のVREFを追跡する分圧器を内蔵 ・ケルビン検出 (VTTSEN) ・VTTおよびVTTREF用の±30mV精度 ・ソフトスタート、UVLO、OCL内蔵 ・サーマルシャットダウン ・AEC-Q100認定グレードで提供

■入手可能な製品番号

・MPQ20073DH-AEC1-LF-P MPQ20073DH-AEC1-LF-Z MPQ20073DH-LF-P MPQ20073DH-LF-Z ・PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します

  • シリーズ

    LDO 2A、1.3V～6.0V、DDRメモリ向けターミネーションレギュレータ、AEC-Q100認定 MPQ20073-AEC1

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入力電圧 V

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