単結晶シリコンウェハー
株式会社同人産業

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この製品について

日本国内工場で生産している他、中国メーカーにて委託生産しています。中国メーカーでは、主に小径サイズを生産しており、Φ8"～Φ16"の大径サイズは日本製を取り扱っております。

■ウェハー加工スライス、ラッピング、エッチング、研磨 (片面・両面) 、膜付け、バックグライディング、ダイシング、モニターウェハ再生加工、など

■使用例・基板用：各種デバイス基板、ダミー基板、光学用基板、ソーラー基板、など
・機械装置開発用：研削機械、研磨機械、ダイサー、レーザー設備、ロボット、表面分析、など

■シリコンウェハーの製造プロセス・単結晶引き上げ (CZ法) ：引き上げ装置内に黒ヒーター、黒鉛ルツボ、石英ルツボ、POLYシリコンをセットし、不活性雰囲気の減圧下で加熱溶融し、種結晶を付けて徐々に引き上げる。
・外周研削加工：規定の長さにインゴットを切断し、規定の直径に外周を研削する。外周の一部に結晶方位を示す平面 (オリフラ) か、溝 (ノッチ) を付与する。
・スライス加工：ワイヤーソー方式もしくは内周刃方式でインゴットを切断し、ウェハ形状にする。
・ベベル加工：ダイアモンド砥石にてウェハ外周を製品直径に研削し、端面を円弧状に研削・面取りする。
・Lapping：回転する上下のラップ盤の間で、ウェハをセットしたキャリアが回転し、砥粒を供給して両面を研磨する。
・Etching：エッチング液中でウェハをセットした治具を回転させながらエッチングし、前工程の機械加工による破壊層を完全に除去する。
・ドナー消去熱処理：拡散炉による熱処理を行い、結晶育成中に生成した酸素起因の不安定なドナー (n型不純物) を分解して、本来の抵抗率に戻す。
・Polishing：研磨布を貼ってある回転する定盤に、ウェハを接着したプレートを押し付け、研磨剤を供給しながら、CMP研磨を鏡面になるまで続ける。
・洗浄：化学薬品と超純水でウェハを洗浄し、化学的、物理的に清浄化する。
・検査：高輝度スポットライトをウェハ表面にあてる外観検査と、装置による平坦度、比抵抗、表面に付着した極微小粒子の数などの検査を行う。
・梱包及び出荷：ウェハは、清浄な出荷用ケースに納め、さらに湿気などを通さない特殊な袋に封入して出荷する。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
単結晶シリコンウェハー

取扱企業
株式会社同人産業

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

半導体製造

半導体材料

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単結晶シリコンウェハー品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	直径	厚さ	結晶方位	納期
	単結晶シリコンウェハー Φ2"	要見積もり	Φ2"、Φ2.5"、Φ3"、Φ4"、Φ5"、Φ6"、Φ8"、Φ12"、Φ16"	150μm~1,000μm、特別指定可能	100、111	3週間~、在庫品は即納可能