半導体製造装置 低温成膜 フレキシブル基板対応 ガラス基板成膜装置
株式会社渡辺商行
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返答率
100.0%
平均返答時間
60.5時間
この製品について
■基本情報
成膜有効幅760mmのガスヘッド2基を搭載し、吸着式加熱ステージの採用により、温度制御性±3％以内を実現しました。4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上で成膜が可能で、膜厚均一性10％以内を確保できます。■特徴
・低温 (150～300℃) 成膜 ・4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上の成膜 ・シンプルメンテナンス ・低CoO (低ランニングコスト) ・高品質なSiO2膜の形成: 低ストレス、プラズマダメージレス、小パーティクル ・導入・維持コストの削減: 小フットプリント、真空・プラズマ処理不要■用途
・FPD向け絶縁膜 (NSG) ・酸化物半導体TFT パッシベーション膜 (NSG)-
シリーズ
半導体製造装置 低温成膜 フレキシブル基板対応 ガラス基板成膜装置
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取扱企業
株式会社渡辺商行
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半導体製造装置 低温成膜 フレキシブル基板対応 ガラス基板成膜装置 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 装置サイズ (mm) | ガス種 | 成膜温度 |
|---|---|---|---|---|---|
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ガラス基板成膜装置 |
要見積もり | 1,300 (W) x 7350 (D) x 2,000 (H) | SiH4, O3/O2, PH3, B2H6 | 150~300℃ |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
