電子デバイス製品 RFデバイス 10W大電力SPDTスイッチ NJG1817ME4-NJG1817ME4

電子デバイス製品 RFデバイス 10W大電力SPDTスイッチ NJG1817ME4
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この製品について

■概要NJG1817ME4は5G (Sub-6) スモールセル、業務用無線など大電力仕様が必要とされる通信システム、端末に最適な GaAs SPDTスイッチMMICです。本製品は+40dBmの入力電力に対応する大電力切替SPDTスイッチであり、6GHzまでの広帯域にわたり低挿入損失を実現します。

また、5G通信に対応可能な高速切替を特長とします。ESD保護素子を内蔵することにより高いESD耐圧を有します。2.0mm x 2.0mmのEQFN12-E4小型パッケージに搭載することにより、大電力スイッチの小型・薄型化を実現しています。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
電子デバイス製品 RFデバイス 10W大電力SPDTスイッチ NJG1817ME4

取扱企業
日清紡マイクロデバイス株式会社

カテゴリ

スイッチ

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SPDTスイッチ

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電子デバイス製品 RFデバイス 10W大電力SPDTスイッチ NJG1817ME4 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	P-0.1dB (dBm)	パワーレベル	挿入損失	アイソレーション	周波数範囲 (GHz)	外形サイズ (mm)	低切替電圧 (V)	動作温度範囲 (℃)	ジャンクション温度 (℃)	パッケージ	備考	機能
	NJG1817ME4	要見積もり	Typ. 40	High Power	0.35dB typ.@3.85GHz、VCTL (H) =3.3V、0.40dB typ.@4.7GHz、VCTL (H) =3.3V 等	27dB typ.@3.85GHz、VCTL (H) =3.3V、27dB typ.@4.7GHz、VCTL (H) =3.3V 等	0.05 to 6	Typ. 2.0x2.0x0.397	2.7 to 5.0	-40 to 105	150	EQFN12-E4	高速切替 (150 ns typ.)	SPDTスイッチ