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蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置-株式会社日本シード研究所

全型番で同じ値の指標

排気性能 到達圧力

≦6.55×10^ー6Pa

排気性能 排気時間

≦4.0×10^ー4Pa 15min以内

真空槽

SUS製チャンバ Φ300×400mm (H)

真空槽 基板/電極間距離

Max250mm

真空槽 ベーキング

Max150℃

排気系 主排気ポンプ

ターボ分子ポンプ (空冷)

排気系 補助ポンプ

油回転真空ポンプ オイルミストトラップ付属

排気系 各種バルブ

手動操作

真空計 低真空

ピラニ真空計

真空計 高真空

電離真空計

基板・電極 基板サイズ

MAX4インチ (□10mm×25枚可能)

基板・電極 蒸発電極

3点切替式 切替スイッチ付属

基板・電極 蒸発電源

SCRコントローラ/トランス 電圧:0~15V、電流:0~30A

槽内アクセス アクセスドア

Oリングシール

機能 基板加熱

最高500℃±5℃ (基板面)

機能 シャッター

手動 蒸着源直上

制御系 主操作

手動 制御盤 各種操作パネル

オプション 膜厚制御

水晶振動子式膜厚計 電源停止 連動機能

オプション 排気バルブ

自動バルブ

ユーティリティ 電力・接地

主電源系 3Φ AC200V 30A 50/60Hz 真空計等 1Φ AC100V 10A 50/60Hz

ユーティリティ 冷却水

供給圧:0.2~0.3MPa 水温:20~35℃ 水量:≧10L/min

ユーティリティ ペントガス

窒素ガス 0.1~0.15MPa

ユーティリティ 圧縮空気

0.5~0.8MPa

ユーティリティ 設置面積

(W×D×H) =1,600mm×2,000mm×2,100mm

ユーティリティ 重量

装置本体:300kg 制御盤:200kg

この製品について

■概要

・抵抗加熱式の蒸着装置となっており、高真空領域で単結晶膜を作製することができます。 ・基板上に平滑な金の (111) 面を形成することができる為、原子間力顕微鏡 (AFM) 、走査型プローブ顕微鏡 (SPM) での測定用基板、また自己組織化単分子膜 (SAM) の成長基板の作製に適しています。 ・ウエハサイズ 最大4インチ×1 (専用ホルダ) ・バッチ式 ・UHV仕様 (6.65×10-6 Pa以下) ・抵抗加熱蒸着、高温加熱

■特徴

・高真空領域で金属単結晶膜を作製することができる抵抗加熱式の高真空蒸着装置です。 ・SUS製 UHVチャンバを採用、ベークアウトにより到達圧力10-6Pa台の超高真空環境が得られます。 ・抵抗加熱用蒸着源には各種蒸着源 (ボート、フィラメント、バスケット、ルツボ) の設置が可能です。 ・最大4インチ基板対応の専用基板ホルダを付属します。 ・高温加熱ヒータを搭載しており、最高500℃基板加熱中に成膜を行うことができます。 ・オプションとして水晶振動子式膜厚計の選択が可能となっており、最適な膜厚制御が可能になります。

  • 型番

    超高真空蒸着装置

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蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置 超高真空蒸着装置の性能表

商品画像 価格 (税抜) 排気性能 到達圧力 排気性能 排気時間 真空槽 真空槽 基板/電極間距離 真空槽 ベーキング 排気系 主排気ポンプ 排気系 補助ポンプ 排気系 各種バルブ 真空計 低真空 真空計 高真空 基板・電極 基板サイズ 基板・電極 蒸発電極 基板・電極 蒸発電源 槽内アクセス アクセスドア 機能 基板加熱 機能 シャッター 制御系 主操作 オプション 膜厚制御 オプション 排気バルブ ユーティリティ 電力・接地 ユーティリティ 冷却水 ユーティリティ ペントガス ユーティリティ 圧縮空気 ユーティリティ 設置面積 ユーティリティ 重量
蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置-品番-超高真空蒸着装置 要見積もり ≦6.55×10^ー6Pa ≦4.0×10^ー4Pa
15min以内
SUS製チャンバ
Φ300×400mm (H)
Max250mm Max150℃ ターボ分子ポンプ (空冷) 油回転真空ポンプ
オイルミストトラップ付属
手動操作 ピラニ真空計 電離真空計 MAX4インチ (□10mm×25枚可能) 3点切替式
切替スイッチ付属
SCRコントローラ/トランス
電圧:0~15V、電流:0~30A
Oリングシール 最高500℃±5℃
(基板面)
手動
蒸着源直上
手動
制御盤 各種操作パネル
水晶振動子式膜厚計
電源停止 連動機能
自動バルブ 主電源系
3Φ AC200V 30A 50/60Hz
真空計等
1Φ AC100V 10A 50/60Hz
供給圧:0.2~0.3MPa
水温:20~35℃
水量:≧10L/min
窒素ガス
0.1~0.15MPa
0.5~0.8MPa (W×D×H) =1,600mm×2,000mm×2,100mm 装置本体:300kg
制御盤:200kg

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使用用途

#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測

工程分類

成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置

搬送方式

バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式

成膜方式

化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型

ウェハーサイズ mm

0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350

チップサイズ mm

0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35

基板サイズ mm

0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500

処理能力 秒/chip

0 - 1 2 - 31

ボンディング精度 μm

0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21

電源電圧 V

90 - 120 120 - 220 220 - 260

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会社概要

研究開発向けオーダーメイドの真空装置・機器の製作を得意としています。
オリジナル製品をはじめ、各種規格部品、メーカー製品を取り扱っております。
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