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排気性能 到達圧力
≦5.0×10^ｰ4Pa
排気性能 排気時間
≦1.0×10^ｰ3Pa 60min以内
真空槽
SUS製チャンバ/ (W×D×H) ＝280mm×270mm×350mm
真空槽 基板/電極間距離
200mm (固定)
排気系 主排気ポンプ
ターボ分子ポンプ (空冷)
排気系 補助ポンプ
ドライ真空ポンプor油回転ポンプ
排気系 各種バルブ
手動操作
真空計 低真空
ピラニ真空計
真空計 高真空
電離真空計
基板・電極 基板サイズ
MAX4インチ (角型100mm×100mm可能)
基板・電極 蒸発電極 (無機)
最大3点切替式 切替スイッチ付属
基板・電極 蒸発電極 (有機)
最大3点切替式 切替スイッチ付属
基板・電極 蒸発電源 (無機)
SCRコントローラ/トランス 電圧：0~10V、電流：0~200A
基板・電極 蒸発電源 (有機)
SCRコントローラ/トランス 電圧：0~10V、電流：0~50A
槽内アクセス アクセスドア
Oリングシール
機能 成膜ステージ
水冷 Rotary (自転)
機能 シャッター
手動 基板直下
制御系 主操作
手動 制御盤 各種操作パネル
オプション 膜厚制御
水晶振動子式膜厚計 電源停止 連動機能
オプション 排気バルブ
自動バルブ
ユーティリティ 電力・接地
主電源系 3Φ AC200V 40A 50/60Hz
ユーティリティ 冷却水
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧5L/min
ユーティリティ ペントガス
窒素ガス 0.1~0.15MPa
ユーティリティ 圧縮空気
0.5~0.8MPa
ユーティリティ 設置面積
(W×D×H) ＝900mm×800mm×1,900mm
ユーティリティ 重量
装置本体：500kg
型番
抵抗加熱式蒸着装置シリーズ
蒸着成膜装置 抵抗加熱式蒸着装置取扱企業
株式会社日本シード研究所カテゴリ
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半導体製造装置の製品201点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 排気性能 到達圧力 | 排気性能 排気時間 | 真空槽 | 真空槽 基板/電極間距離 | 排気系 主排気ポンプ | 排気系 補助ポンプ | 排気系 各種バルブ | 真空計 低真空 | 真空計 高真空 | 基板・電極 基板サイズ | 基板・電極 蒸発電極 (無機) | 基板・電極 蒸発電極 (有機) | 基板・電極 蒸発電源 (無機) | 基板・電極 蒸発電源 (有機) | 槽内アクセス アクセスドア | 機能 成膜ステージ | 機能 シャッター | 制御系 主操作 | オプション 膜厚制御 | オプション 排気バルブ | ユーティリティ 電力・接地 | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ ペントガス | ユーティリティ 圧縮空気 | ユーティリティ 設置面積 | ユーティリティ 重量 |
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要見積もり | ≦5.0×10^ｰ4Pa |
≦1.0×10^ｰ3Pa 60min以内 |
SUS製チャンバ/ (W×D×H) ＝280mm×270mm×350mm | 200mm (固定) | ターボ分子ポンプ (空冷) | ドライ真空ポンプor油回転ポンプ | 手動操作 | ピラニ真空計 | 電離真空計 | MAX4インチ (角型100mm×100mm可能) |
最大3点切替式 切替スイッチ付属 |
最大3点切替式 切替スイッチ付属 |
SCRコントローラ/トランス 電圧：0~10V、電流：0~200A |
SCRコントローラ/トランス 電圧：0~10V、電流：0~50A |
Oリングシール |
水冷 Rotary (自転) |
手動 基板直下 |
手動 制御盤 各種操作パネル |
水晶振動子式膜厚計 電源停止 連動機能 |
自動バルブ |
主電源系 3Φ AC200V 40A 50/60Hz |
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧5L/min |
窒素ガス 0.1~0.15MPa |
0.5~0.8MPa | (W×D×H) ＝900mm×800mm×1,900mm | 装置本体：500kg |
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半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測工程分類
成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置搬送方式
バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式成膜方式
化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260
