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排気性能 到達圧力
≦2.0×10^ー5Pa
排気性能 排気時間
≦2.0×10^ー4Pa 60min以内
真空槽
SUS製チャンバ/ (W×D×H) =950mm×700mm×650mm
真空槽 基板/電極間距離
400mm (固定)
排気系 主排気ポンプ
クライオポンプ
排気系 補助ポンプ
ドライ真空ポンプ
排気系 各種バルブ
PLC操作 (自動および手動)
真空計 低真空
ピラニ真空計
真空計 高真空
電離真空計
基板・電極 基板サイズ
MAX3インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能
基板・電極 電子銃
4点ハース切替式 反射電子トラップ付
基板・電極 電子銃電源
10kW
基板・電極 蒸発電極
2点切替式 切替スイッチ付属
基板・電極 蒸発電源
SCRコントローラ/トランス 電圧:0~100V、電流:0~15A
基板・電極 膜厚分析
±5%
槽内アクセス アクセスドア
Oリングシール
機能 成膜ステージ
水冷 Rotary (公転)
機能 シャッター
自動 蒸着源直上 (電子銃、抵抗加熱)
機能 膜厚制御
水晶振動子式膜厚計
制御系 主操作
制御盤PLC操作 電子銃電源 操作パネル
オプション 水冷機構
冷却水循環装置
ユーティリティ 電力・接地
主電源系 3Φ AC200V 100A 50/60Hz
ユーティリティ 冷却水
供給圧:0.2~0.3MPa 水温:20~35℃ 水量:≧25L/min
ユーティリティ ペントガス
窒素ガス 0.1~0.15MPa
ユーティリティ 圧縮空気
0.5~0.8MPa
ユーティリティ 設置面積
(W×D×H) =2,600mm×2,000mm×2,400mm
ユーティリティ 重量
1,700kg (装置本体、制御盤、電子銃電源等)
型番
多元蒸着成膜装置シリーズ
蒸着成膜装置 多元蒸着成膜装置取扱企業
株式会社日本シード研究所カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | 排気性能 到達圧力 | 排気性能 排気時間 | 真空槽 | 真空槽 基板/電極間距離 | 排気系 主排気ポンプ | 排気系 補助ポンプ | 排気系 各種バルブ | 真空計 低真空 | 真空計 高真空 | 基板・電極 基板サイズ | 基板・電極 電子銃 | 基板・電極 電子銃電源 | 基板・電極 蒸発電極 | 基板・電極 蒸発電源 | 基板・電極 膜厚分析 | 槽内アクセス アクセスドア | 機能 成膜ステージ | 機能 シャッター | 機能 膜厚制御 | 制御系 主操作 | オプション 水冷機構 | ユーティリティ 電力・接地 | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ ペントガス | ユーティリティ 圧縮空気 | ユーティリティ 設置面積 | ユーティリティ 重量 |
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要見積もり | ≦2.0×10^ー5Pa |
≦2.0×10^ー4Pa 60min以内 |
SUS製チャンバ/ (W×D×H) =950mm×700mm×650mm | 400mm (固定) | クライオポンプ | ドライ真空ポンプ | PLC操作 (自動および手動) | ピラニ真空計 | 電離真空計 |
MAX3インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能 |
4点ハース切替式 反射電子トラップ付 |
10kW |
2点切替式 切替スイッチ付属 |
SCRコントローラ/トランス 電圧:0~100V、電流:0~15A |
±5% | Oリングシール |
水冷 Rotary (公転) |
自動 蒸着源直上 (電子銃、抵抗加熱) |
水晶振動子式膜厚計 |
制御盤PLC操作 電子銃電源 操作パネル |
冷却水循環装置 |
主電源系 3Φ AC200V 100A 50/60Hz |
供給圧:0.2~0.3MPa 水温:20~35℃ 水量:≧25L/min |
窒素ガス 0.1~0.15MPa |
0.5~0.8MPa | (W×D×H) =2,600mm×2,000mm×2,400mm |
1,700kg (装置本体、制御盤、電子銃電源等) |
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半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測工程分類
成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置搬送方式
バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式成膜方式
化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260