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装置構成 搬送系
搬送室 高真空搬送ロボット式
装置構成 モジュール (標準)
試料交換室×1室 プロセス室×1室
装置構成 プロセス室 (構成例)
Co-sputter室 Multi-sputter室 蒸着室
到達圧力 搬送系 (標準)
≦4.0×10^ｰ5Pa
到達圧力 試料交換室 (標準)
≦1.0×10^ｰ4Pa
到達圧力 プロセス室 (標準)
≦2.0×10^ｰ5Pa
真空槽
SUS製チャンバ
排気系 主排気ポンプ
搬送室：ターボ分子ポンプ 試料交換室：ターボ分子ポンプ プロセス室：ターボ分子ポンプorクライオポンプ
排気系 補助ポンプ
油圧回路真空ポンプorドライ真空ポンプ
排気系 各種バルブ
PLC操作 (自動および手動)
真空計 低真空
ピラニ真空計
真空計 高真空
電離真空計
真空計 圧力制御
絶対圧真空計
基板サイズ
MAX4インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能
制御系 主操作
制御盤PLC操作
制御系 自動動作機能
排気系動作、搬送系動作 モジュール内プロセス運転
機能 (例) 搬送室
4室接続チャンバ ゲートバルブ
機能 (例) 試料交換室
ホルダラック (ホルダ×4式積載) 酸化処理機能
機能 (例) Co-sputter室
スパッタアップ、スパッタ源×3 基板トリートメント×1 基板高温加熱 成膜ステージ (Rotary)
機能 (例) Multi-sputter室
スパッタアップ スパッタ源×2、IBS×1 基板トリートメント×1 基板加熱
機能 (例) 蒸着室
抵抗加熱式蒸着源×3 (切替) 成膜ステージ (Z、Rotary)
機能 (例) その他
ダウンストリーム自動圧力制御 アップストリーム自動圧力制御 水晶振動子式膜厚計 膜厚計ーシャッタ連動
ユーティリティ 電力
3Φ AC200V 50/60Hz 150A (プロセス室構成例)
ユーティリティ 冷却水
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~28℃ 水量：≧40L/min (プロセス室構成例)
ユーティリティ プロセスガス
Ar、O2、N2 (プロセス室構成例)
ユーティリティ ペントガス
窒素ガス 0.1~0.15MPa
ユーティリティ 圧縮空気
0.5~0.8MPa
ユーティリティ 設置面積
(W×D×H) ＝4.0m×4.5m×2.2m (プロセス室構成例)
型番
枚葉式複合成膜装置シリーズ
複合成膜装置 枚葉式複合成膜装置取扱企業
株式会社日本シード研究所カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 装置構成 搬送系 | 装置構成 モジュール (標準) | 装置構成 プロセス室 (構成例) | 到達圧力 搬送系 (標準) | 到達圧力 試料交換室 (標準) | 到達圧力 プロセス室 (標準) | 真空槽 | 排気系 主排気ポンプ | 排気系 補助ポンプ | 排気系 各種バルブ | 真空計 低真空 | 真空計 高真空 | 真空計 圧力制御 | 基板サイズ | 制御系 主操作 | 制御系 自動動作機能 | 機能 (例) 搬送室 | 機能 (例) 試料交換室 | 機能 (例) Co-sputter室 | 機能 (例) Multi-sputter室 | 機能 (例) 蒸着室 | 機能 (例) その他 | ユーティリティ 電力 | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ プロセスガス | ユーティリティ ペントガス | ユーティリティ 圧縮空気 | ユーティリティ 設置面積 |
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要見積もり |
搬送室 高真空搬送ロボット式 |
試料交換室×1室 プロセス室×1室 |
Co-sputter室 Multi-sputter室 蒸着室 |
≦4.0×10^ｰ5Pa | ≦1.0×10^ｰ4Pa | ≦2.0×10^ｰ5Pa | SUS製チャンバ |
搬送室：ターボ分子ポンプ 試料交換室：ターボ分子ポンプ プロセス室：ターボ分子ポンプorクライオポンプ |
油圧回路真空ポンプorドライ真空ポンプ | PLC操作 (自動および手動) | ピラニ真空計 | 電離真空計 | 絶対圧真空計 |
MAX4インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能 |
制御盤PLC操作 |
排気系動作、搬送系動作 モジュール内プロセス運転 |
4室接続チャンバ ゲートバルブ |
ホルダラック (ホルダ×4式積載) 酸化処理機能 |
スパッタアップ、スパッタ源×3 基板トリートメント×1 基板高温加熱 成膜ステージ (Rotary) |
スパッタアップ スパッタ源×2、IBS×1 基板トリートメント×1 基板加熱 |
抵抗加熱式蒸着源×3 (切替) 成膜ステージ (Z、Rotary) |
ダウンストリーム自動圧力制御 アップストリーム自動圧力制御 水晶振動子式膜厚計 膜厚計ーシャッタ連動 |
3Φ AC200V 50/60Hz 150A (プロセス室構成例) |
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~28℃ 水量：≧40L/min (プロセス室構成例) |
Ar、O2、N2 (プロセス室構成例) |
窒素ガス 0.1~0.15MPa |
0.5~0.8MPa |
(W×D×H) ＝4.0m×4.5m×2.2m (プロセス室構成例) |
半導体製造装置の中でこの商品と同じ値をもつ製品
工程分類が成膜装置の製品
半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測工程分類
成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置搬送方式
バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式成膜方式
化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260
