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真空槽 (mm)
330W × 330D × 410H
有効エリア (mm)
φ150 × 150L (スパッタリング搭載時は※110L)
基板ホルダー
自公転式 (製品形状に応じて特注製作可能)
搭載可能システム
PSII電源 (標準) 、DLCイオン源 (イオン化蒸着源) 、スパッタリング電源、DLC剥離用電源
到達圧力
6.7E-4Pa以下
排気速度
6.7E-3Pa以下まで30分以内
基板加熱機構
オプション (シースヒーター)
基板バイアス
MAX 5kV 250mA 0.2 ~ 2kHz DUTY5 ~ 50％
装置制御
レシピ画面設定による完全自動運転
排気系
ターボ分子ポンプ + ロータリーポンプ
所要電力
3φ 200V 10kVA~
設置面積 (M)
2.5W × 2.5D × 2.0H
冷却水
2kgf/cm2 20L/min
圧縮空気
5kgf/cm2以上
型番
ICF-330取扱企業
ナノテック株式会社カテゴリ
| 商品画像 | 価格 (税抜) | 真空槽 (mm) | 有効エリア (mm) | 基板ホルダー | 搭載可能システム | 到達圧力 | 排気速度 | 基板加熱機構 | 基板バイアス | 装置制御 | 排気系 | 所要電力 | 設置面積 (M) | 冷却水 | 圧縮空気 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり | 330W × 330D × 410H | φ150 × 150L (スパッタリング搭載時は※110L) | 自公転式 (製品形状に応じて特注製作可能) | PSII電源 (標準) 、DLCイオン源 (イオン化蒸着源) 、スパッタリング電源、DLC剥離用電源 | 6.7E-4Pa以下 | 6.7E-3Pa以下まで30分以内 | オプション (シースヒーター) | MAX 5kV 250mA 0.2 ~ 2kHz DUTY5 ~ 50％ | レシピ画面設定による完全自動運転 | ターボ分子ポンプ + ロータリーポンプ | 3φ 200V 10kVA~ | 2.5W × 2.5D × 2.0H | 2kgf/cm2 20L/min | 5kgf/cm2以上 |
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成膜装置の製品187点中、注目ランキング上位6点
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成膜装置成膜装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#半導体製造 #光学部品製造 #太陽電池製造 #ディスプレイ製造 #電池材料開発 #センサ開発 #薄膜トランジスタ開発 #表面改質 #機能性材料研究 #MEMS製造 #医療機器製造 #材料評価成膜方式
蒸着法 スパッタリング法 CVD法 ALD法 溶液法構成環境
真空型 低圧型プラズマ利用有無
プラズマ無し プラズマ援用型 高周波プラズマ型基板搬送方式
固定基板型 回転基板型 ロール搬送型到達圧力 Pa
0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10基板サイズ mm
25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650設置面積 m²
1 - 5 5 - 10 10 - 20所要電力 kVA
10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35真空槽 mm
500 - 800 800 - 1,000基板バイアス V
0 - 5,000 5,000 - 25,000
