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最大φ12インチ
成膜プロセス
SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si TEOS/TMOS系:SiO2
プラズマソース
CCP型
基板加熱温度
最高300℃ (基板表面)
真空排気
低真空プロセス:MBP+DP 高真空プロセス:TMP+DP
圧力制御
APC制御
制御操作
制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC
データロギング
外部メモリまたはPC
基板搬送
真空搬送ロボット
型番
酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置シリーズ
酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置取扱企業
ジャパンクリエイト株式会社カテゴリ
レビューは全てメトリー経由で実際に見積もりをしたユーザーによるものです
5.0
評判がとても良い
2024年12月12日にレビュー
回答が速やかに有りました。しかし、残念ながら同社では対応が困難な案件でした。
初回返答までの時間・4.22時間もっと見る
CVD装置の製品78点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
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返答率96%
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 基板サイズ | 成膜プロセス | プラズマソース | 基板加熱温度 | 真空排気 | 圧力制御 | 制御操作 | データロギング | 基板搬送 | オプション | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 要見積もり | 最大φ12インチ | SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si TEOS/TMOS系:SiO2 | CCP型 | 最高300℃ (基板表面) | 低真空プロセス:MBP+DP 高真空プロセス:TMP+DP | APC制御 | 制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC | 外部メモリまたはPC | 真空搬送ロボット | 300℃以上の高温プロセス、発光分析システム、排ガス処理装置、ガス検知器、シリンダーキャビネット など | 
                        CVD装置の中でこの商品と同じ値をもつ製品
                        
                        制御操作がPLCの製品
                    
CVD装置をフィルターから探すことができます