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基板サイズ
最大φ12インチ
成膜プロセス
SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si TEOS/TMOS系:SiO2
プラズマソース
CCP型
基板加熱温度
最高300℃ (基板表面)
真空排気
低真空プロセス:MBP+DP 高真空プロセス:TMP+DP
圧力制御
APC制御
制御操作
制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC
データロギング
外部メモリまたはPC
基板搬送
真空搬送ロボット
型番
酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置シリーズ
酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置取扱企業
ジャパンクリエイト株式会社カテゴリ
Metoree経由で見積もり
2024年12月12日にレビュー済み
顧客対応への満足度
回答が速やかに有りました。しかし、残念ながら同社では対応が困難な案件でした。
初回対応までの時間への満足度
4.22時間
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プラズマCVD装置の製品40点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
返答時間が24時間以内の企業の中での注目ランキング
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返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
商品画像 | 価格 (税抜) | 基板サイズ | 成膜プロセス | プラズマソース | 基板加熱温度 | 真空排気 | 圧力制御 | 制御操作 | データロギング | 基板搬送 | オプション |
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要見積もり | 最大φ12インチ |
SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si TEOS/TMOS系:SiO2 |
CCP型 | 最高300℃ (基板表面) |
低真空プロセス:MBP+DP 高真空プロセス:TMP+DP |
APC制御 |
制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC |
外部メモリまたはPC | 真空搬送ロボット |
300℃以上の高温プロセス、発光分析システム、排ガス処理装置、ガス検知器、シリンダーキャビネット など |
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