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酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置-ジャパンクリエイト株式会社
🧪 化学業界用 💻 電子・電気機器業界用

ジャパンクリエイト株式会社の対応状況

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返答時間

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基板サイズ

最大φ12インチ

成膜プロセス

SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si TEOS/TMOS系:SiO2

プラズマソース

CCP型

基板加熱温度

最高300℃ (基板表面)

真空排気

低真空プロセス:MBP+DP 高真空プロセス:TMP+DP

圧力制御

APC制御

制御操作

制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC

データロギング

外部メモリまたはPC

基板搬送

真空搬送ロボット

この製品について

■特徴

・2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ・優れた膜厚分布および再現性を実現 ・特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ・ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減および生産性向上 ・広範な膜特性の制御可能 ・豊富な蓄積データ ・トレイ搬送にも対応可能

■用途

・半導体 ・MEMS ・有機EL ・太陽電池 ・電子部品 ・光学部品

  • 型番

    酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年12月12日にレビュー済み

顧客対応への満足度

回答が速やかに有りました。しかし、残念ながら同社では対応が困難な案件でした。

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酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置 酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置の性能表

商品画像 価格 (税抜) 基板サイズ 成膜プロセス プラズマソース 基板加熱温度 真空排気 圧力制御 制御操作 データロギング 基板搬送 オプション
酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置-品番-酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置 要見積もり 最大φ12インチ SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si
TEOS/TMOS系:SiO2
CCP型 最高300℃ (基板表面) 低真空プロセス:MBP+DP
高真空プロセス:TMP+DP
APC制御 制御:PLC
操作:タッチパネルまたはPC
外部メモリまたはPC 真空搬送ロボット

300℃以上の高温プロセス、発光分析システム、排ガス処理装置、ガス検知器、シリンダーキャビネット など


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基板加熱温度 ℃

0 - 300 300 - 500 500 - 800 800 - 1,000 1,000 - 1,200

制御操作

PC PLC タッチパネル

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この商品の取り扱い会社情報

返答率

100.0%


返答時間

185.3時間


企業レビュー

5.0

会社概要

ジャパンクリエイト株式会社は、ウエハ自動洗浄装置、エッチング装置、スピン洗浄装置、プラズマCVD装置、スパッタリング装置、蒸着装置の開発及び製造を主な事業内容とする企業です。
1963年に洗浄装置の開発及び製造を...

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  • 本社所在地: 埼玉県

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