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基板サイズ
最大φ12インチ
スパッタカソード
マグネトロン方式 ターゲットシャッタ
スパッタ電源
RFまたはDC
プロセスガス
Ar、O2、N2、他
基板ステージ
基板加熱:700℃ (基板表面) 自転:最高20rpm
真空排気
構成1:TMP+DP 構成2:CP+DP
圧力制御
APC制御
制御操作
制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC
データロギング
外部メモリまたはPC
基板搬送
真空搬送ロボット
型番
圧電膜形成スパッタリング装置シリーズ
圧電膜形成スパッタリング装置取扱企業
ジャパンクリエイト株式会社カテゴリ
Metoree経由で見積もり
2024年12月12日にレビュー済み
顧客対応への満足度
回答が速やかに有りました。しかし、残念ながら同社では対応が困難な案件でした。
初回対応までの時間への満足度
4.22時間
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成膜装置の製品160点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
返答時間が24時間以内の企業の中での注目ランキング
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返答率96%
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商品画像 | 価格 (税抜) | 基板サイズ | スパッタカソード | スパッタ電源 | プロセスガス | 基板ステージ | 真空排気 | 圧力制御 | 制御操作 | データロギング | 基板搬送 | オプション |
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要見積もり | 最大φ12インチ | マグネトロン方式 ターゲットシャッタ | RFまたはDC | Ar、O2、N2、他 |
基板加熱:700℃ (基板表面) 自転:最高20rpm |
構成1:TMP+DP 構成2:CP+DP |
APC制御 |
制御:PLC 操作:タッチパネルまたはPC |
外部メモリまたはPC | 真空搬送ロボット |
基板加熱900℃、基板バイアス (RFまたはDC) 、基板冷却 (低温成膜) 、ムービングマグネット、磁性材ターゲット用カソード、発光分析システム、トレイ搬送、Q-MASS など |
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使用用途が半導体製造の製品
成膜装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#半導体製造 #光学部品製造 #太陽電池製造 #ディスプレイ製造 #電池材料開発 #センサ開発 #薄膜トランジスタ開発 #表面改質 #機能性材料研究 #MEMS製造 #医療機器製造 #材料評価到達圧力 Pa
0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10基板サイズ mm
25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650設置面積 m²
1 - 5 5 - 10 10 - 20所要電力 kVA
10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35真空槽 mm
500 - 800 800 - 1,000基板バイアス V
0 - 5,000 5,000 - 25,000