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返答時間
18.7時間
成長室 到達圧力 (Pa)
＜1.33×10^-8
基板 (ウエハ) サイズ×枚数
φ6”×1
基板加熱温度 標準仕様 (制御用熱電対値)
900℃
基板加熱温度 オプション仕様 (制御用熱電対値)
1,200℃
分子線セルポート (サイズ×数)
ICF152×10
伸縮式フラックスモニター
標準装備
成長室イオンポンプ
500 l/sec
成長室ターボ分子ポンプ
オプション
クライオポンプ
オプション
RHEEDシステム (30KeV)
標準装備
RHEEDスクリーンサイズ
ICF203
搬送室トランスファーロッド式 到達圧力 (Pa)
＜6.6×10^-7
搬送室トランスファーロッド式 イオンポンプ
150 l/sec
搬送室トランスファーロッド式 搬送機構
トランスファーロッド式
レール搬送機構
オプション
搬送室回転伸縮アーム式 到達圧力 (Pa)
＜6.6×10^-7
搬送室回転伸縮アーム式 イオンポンプ
300 l/sec
搬送室回転伸縮アーム式 搬送機構
回転伸縮アーム式
拡張ポート (サイズ×数)
ICF203×2
投入室 到達圧力 (Pa)
＜1.33×10^-5
投入室 ターボ分子ポンプ
300 l/sec
予備加熱機構 (Max500℃)
標準装備
基板保管機構 (4枚ストック)
標準装備
投入室 搬送機構 (回転伸縮の場合不要)
トランスファーロッド式またはレール式
操作パネル (タッチパネル)
標準装備
異常表示
標準装備
インターロック機能
標準装備
型番
RC6100取扱企業
株式会社エピクエストカテゴリ
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蒸着装置の製品121点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 成長室 到達圧力 (Pa) | 基板 (ウエハ) サイズ×枚数 | 基板加熱温度 標準仕様 (制御用熱電対値) | 基板加熱温度 オプション仕様 (制御用熱電対値) | 分子線セルポート (サイズ×数) | 伸縮式フラックスモニター | 成長室イオンポンプ | 成長室ターボ分子ポンプ | クライオポンプ | RHEEDシステム (30KeV) | RHEEDスクリーンサイズ | 搬送室トランスファーロッド式 到達圧力 (Pa) | 搬送室トランスファーロッド式 イオンポンプ | 搬送室トランスファーロッド式 搬送機構 | レール搬送機構 | 搬送室回転伸縮アーム式 到達圧力 (Pa) | 搬送室回転伸縮アーム式 イオンポンプ | 搬送室回転伸縮アーム式 搬送機構 | 拡張ポート (サイズ×数) | 投入室 到達圧力 (Pa) | 投入室 ターボ分子ポンプ | 予備加熱機構 (Max500℃) | 基板保管機構 (4枚ストック) | 投入室 搬送機構 (回転伸縮の場合不要) | 操作パネル (タッチパネル) | 異常表示 | インターロック機能 |
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要見積もり | ＜1.33×10^-8 | φ6”×1 | 900℃ | 1,200℃ | ICF152×10 | 標準装備 | 500 l/sec | オプション | オプション | 標準装備 | ICF203 | ＜6.6×10^-7 | 150 l/sec | トランスファーロッド式 | オプション | ＜6.6×10^-7 | 300 l/sec | 回転伸縮アーム式 | ICF203×2 | ＜1.33×10^-5 | 300 l/sec | 標準装備 | 標準装備 | トランスファーロッド式またはレール式 | 標準装備 | 標準装備 | 標準装備 |
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使用用途がMBEの製品
蒸着装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#研究開発 #金属膜 #有機エレクトロニクス #電子顕微鏡試料 #多層膜 #電子部品半導体 #超高真空 #MBE #保護膜排気時間 分
10 - 15 15 - 20 20 - 25排気系主ポンプ
クライオポンプ 油拡散ポンプ ターボ分子ポンプ操作方法
全自動 手動 自動基板サイズ mm
50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 1,000 1,000 - 3,000チャンバーサイズ mm
150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350 350 - 400蒸発方式
抵抗加熱 電子銃 高周波誘導加熱基板加熱温度 ℃
100 - 500 500 - 800 800 - 1,000膜厚分布 %
1 - 5 5 - 15
