MPCVD-Graphene | 横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene
株式会社マイクロフェーズ

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返答率

100.0%

返答時間

87.8時間

全型番で同じ値の指標

管状炉温度制御

1ゾーンプログラム付温度調節計

管状炉常用使用温度

400~1,000℃

管状炉炉内寸法

60mmφ×L260mm

管状炉電気容量

700W

炉心管サイズ

OD50mm×ID46mm×L1,200mm

外形寸法

W1,400mm×H1,000mm×D500mm

管状炉外形寸法

W300mm×H200mm×D186mm

ガス制御マスフローコントローラ導入ガス種

キャリアガス：N2 or Ar、還元ガス：H2、炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4

真空計

ブルドン管真空計

排気ポンプ

ロータリーポンプ

炉心管材質

石英

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この製品について

炭化水素ガス (CH4やC2H2) を用いたCVD法で触媒基板 (Ni、Cuなど) にグラフェン膜を成長するには、 基板の急冷が重要要素の一つと言われています。 本装置には、炉心管がそのままで、加熱部だけをスライド移動できるような機構が設けられています。 

このスライド機構により、炉のホットゾーンをサンプル位置から素早く外すことができ、サンプルの急冷が可能になります。 また、オプションで高真空排気システムを搭載することにより、より広い面積の単層グラフェン膜が容易に成膜できます。

■目的グラフェン膜を合成するための管状炉 (50mmφ) タイプの熱CVD装置です。

■特徴         ・炉のスライド移動機構を搭載、サンプルの急加熱／急冷却が可能
・3系統のマスフローガス流量制御系、正確なガス制御が可能
・コンパクトでしっかりした筐体設計、卓上実験台などに簡単設置

■オプション・モータ駆動による自動スライド機能も追加可能
・ターボ排気ポンプの追加により、さらに高品質のグラフェンが成膜可能
・熱電対センサーを炉内に導入、試料温度を直接モニター可能

型番
MPCVD-Graphene

シリーズ
横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene

取扱企業
株式会社マイクロフェーズ

カテゴリ

無機・鉱物素材

グラフェン

加工・工作機器

プラズマCVD装置

FA機器

自動合成装置

半導体製造

CVD装置

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横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene MPCVD-Grapheneの性能表

商品画像	価格 (税抜)	管状炉温度制御	管状炉常用使用温度	管状炉炉内寸法	管状炉電気容量	炉心管サイズ	外形寸法	管状炉外形寸法	ガス制御マスフローコントローラ導入ガス種	真空計	排気ポンプ	炉心管材質
	要見積もり	1ゾーンプログラム付温度調節計	400~1,000℃	60mmφ×L260mm	700W	OD50mm×ID46mm×L1,200mm	W1,400mm×H1,000mm×D500mm	W300mm×H200mm×D186mm	キャリアガス：N2 or Ar、還元ガス：H2、炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4	ブルドン管真空計	ロータリーポンプ	石英