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返答時間
2.4時間
プラズマ源
RF : 0~500W 可変+自動マッチングBOX (誘導結合もしくは容量結合) 反応管 : φ40×36 石英管
反応室
SUS 304製
ロードロック室
SUS 304製 ハッチポート+Oリング式トランスファーロッド
基板サイズ
~φ100
基板加熱機構
最高加熱温度 : 900℃ 基板位置 : 上下可変 電源 : DC電源+温度調節器
真空排気系
ロードロック室 : TMP+RP 反応室 : RP+トラップ
ガス供給系
MFC+バルブ類
本体架台
キャスター、アジャスター付き
用力
三相 AC200V 60A 単相 AC100V 10A 冷却水 1 L⁄min
型番
PCVD-R100取扱企業
アリオス株式会社カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | プラズマ源 | 反応室 | ロードロック室 | 基板サイズ | 基板加熱機構 | 真空排気系 | ガス供給系 | 本体架台 | 用力 |
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要見積もり |
RF : 0~500W 可変+自動マッチングBOX (誘導結合もしくは容量結合) 反応管 : φ40×36 石英管 |
SUS 304製 |
SUS 304製 ハッチポート+Oリング式トランスファーロッド |
~φ100 |
最高加熱温度 : 900℃ 基板位置 : 上下可変 電源 : DC電源+温度調節器 |
ロードロック室 : TMP+RP 反応室 : RP+トラップ |
MFC+バルブ類 | キャスター、アジャスター付き |
三相 AC200V 60A 単相 AC100V 10A 冷却水 1 L⁄min |
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