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到達真空度
5×10^-4Pa以下
チャンバー材質/形状
SUS製 横型チャンバー
チャンバー構成
1チャンバー
排気系
ターボ分子ポンプ+ドライポンプ
圧力調整
自動圧力制御器 (APC)
真空計
フルレンジ真空計+隔膜真空計 (APC用)
制御方式
タッチパネル (手動)
フィラメント加熱電力
0~1.6kW連続可変 (定電流モード、定電力モード) ×2
基板冷却方式
水冷
温度測定
放射温度計 (フィラメント用、基板用 各1台)
ガス供給系
MFC2系統 (H2、CH4) 、最大7系統
試料ホルダー サイズ
φ80mm
移動 回転機構
基板回転機構 (モーター式:回転数可変0~30rpm) ベローズ式上下移動機構 (ストローク50mm)
基板サイズ (最大)
φ3インチ×1個
リーク量
1.0×10^-8Pa・m^3/s以下 (Oリング透過分を除く)
本体架台
キャスター、アジャスター付き (電源部を含む) 、重量約200kg
用力 電力
[本体]AC200V 三相 40A、[チラー]AC200V 単相 15A
用力 圧縮空気
0.5MPa
用力 プロセスガス
H2、CH4 (1/4"Swagelok or 1/4"VCR)
型番
HFCVD-6FHA取扱企業
アリオス株式会社カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | 到達真空度 | チャンバー材質/形状 | チャンバー構成 | 排気系 | 圧力調整 | 真空計 | 制御方式 | フィラメント加熱電力 | 基板冷却方式 | 温度測定 | ガス供給系 | 試料ホルダー サイズ | 移動 回転機構 | 基板サイズ (最大) | リーク量 | 本体架台 | 用力 電力 | 用力 圧縮空気 | 用力 プロセスガス |
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要見積もり | 5×10^-4Pa以下 | SUS製 横型チャンバー | 1チャンバー | ターボ分子ポンプ+ドライポンプ | 自動圧力制御器 (APC) | フルレンジ真空計+隔膜真空計 (APC用) | タッチパネル (手動) | 0~1.6kW連続可変 (定電流モード、定電力モード) ×2 | 水冷 | 放射温度計 (フィラメント用、基板用 各1台) | MFC2系統 (H2、CH4) 、最大7系統 | φ80mm |
基板回転機構 (モーター式:回転数可変0~30rpm) ベローズ式上下移動機構 (ストローク50mm) |
φ3インチ×1個 | 1.0×10^-8Pa・m^3/s以下 (Oリング透過分を除く) | キャスター、アジャスター付き (電源部を含む) 、重量約200kg | [本体]AC200V 三相 40A、[チラー]AC200V 単相 15A | 0.5MPa | H2、CH4 (1/4"Swagelok or 1/4"VCR) |
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成膜装置成膜装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#半導体製造 #光学部品製造 #太陽電池製造 #ディスプレイ製造 #電池材料開発 #センサ開発 #薄膜トランジスタ開発 #表面改質 #機能性材料研究 #MEMS製造 #医療機器製造 #材料評価到達圧力 Pa
0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10基板サイズ mm
25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650設置面積 m²
1 - 5 5 - 10 10 - 20所要電力 kVA
10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35真空槽 mm
500 - 800 800 - 1,000基板バイアス V
0 - 5,000 5,000 - 25,000