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磁気抵抗メモリ MRAM-株式会社セイワ

CS82xx | 磁気抵抗メモリ MRAM
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Speed

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この製品について

MRAMとは、記憶素子の素材の一部に磁性体を用い、磁化の状態の変化によって信号の記録を行うもの。電源が失われても記録された情報が消えない不揮発性メモリに分類されます。MRAMはDRAM並に記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。フラッシュメモリのように通電しなくても記憶を維持できる不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。

  • 型番

    CS82xx

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2024年8月29日にレビュー

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商品画像 価格 (税抜) Density I/O Vcc. Speed
磁気抵抗メモリ MRAM-品番-CS82xx 要見積もり 1Mbit x4 1.71~1.98V 108MHz

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使用用途

#データ保存 #画像処理構成 #音声処理構成 #組込み機器構成 #ログ記録

記憶方式

揮発性メモリ 不揮発性メモリ 書換可能メモリ

構造方式

DRAM NOR型フラッシュ

Capacity GB

10 - 100

Voltage V

1 - 1.2 1.2 - 1.4 1.4 - 1.6 1.6 - 2

容量 GB

0 - 1 10 - 200

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会社概要

私達は限りない未来に向けて、環境や社会との調和のとれた企業を目指しています。
多様な半導体・電子部品を幅広く取り扱いしています。

【営業品目】
国内メーカー半導体／海外メーカー半導体

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  • 本社所在地: 東京都

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