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返答率
100.0%
返答時間
254.6時間
到達圧力
8.0×10-4Pa 6.0×10-4Pa (液体窒素使用時)
排気時間
4.0×10-3Pa/15min 3.0×10-3Pa/15min (液体窒素使用時)
真空槽
ガラスベルジャー (内径φ300mm×高さ300mm)
フィードスルカラー
12ポート (側面8/底面4)
基板推奨サイズ・最大サイズ※1
□50mm ・ □140mm (Max) ※1：最大基板サイズは膜厚分布を考慮しない時の値となります。
蒸発電極構成
1点式
蒸発電源・数量
SEREM PSE-150C 1 式 0~10V 150A (Max)
メインポンプ
油拡散ポンプ (空冷) (200L/sec)
液体窒素トラップ
有り
補助ポンプ
油回転真空ポンプ (100L/min)
オイルミストトラップ
インライントラップ OMI-100
メインバルブ
バタフライバルブ
補助バルブ
三方向バルブ
自動リークバルブ
オプション
操作
手動
ピラニ真空計
GP-1G
電離真空計
GI-M2
本体最大寸法
730mm (W) ×603mm (D) ×1,161mm (H)
電源最大寸法
480mm (W) ×435.3mm (D) ×149mm (H)
本体質量
145kg
電源質量
40kg
所要電気量 本体
100V 単相 50/60Hz 1.4kVA
所要電気量 電源
200V 単相 50/60Hz 1.5kVA
アース端子
D種 (接地抵抗値 100Ω以下)
取り合い 本体 1φ100V
ビニルキャプタイヤケーブル (R3.5-4 圧着端子付) 4m
取り合い 電源 1φ200V
ビニルキャプタイヤケーブル (R2.0-5 圧着端子付) 2m
型番
VFR-200M/ERH取扱企業
アルバック販売株式会社カテゴリ
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蒸着装置の製品93点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 到達圧力 | 排気時間 | 真空槽 | フィードスルカラー | 基板推奨サイズ・最大サイズ※1 | 蒸発電極構成 | 蒸発電源・数量 | メインポンプ | 液体窒素トラップ | 補助ポンプ | オイルミストトラップ | メインバルブ | 補助バルブ | 自動リークバルブ | 操作 | ピラニ真空計 | 電離真空計 | 本体最大寸法 | 電源最大寸法 | 本体質量 | 電源質量 | 所要電気量 本体 | 所要電気量 電源 | アース端子 | 取り合い 本体 1φ100V | 取り合い 電源 1φ200V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり |
8.0×10-4Pa 6.0×10-4Pa (液体窒素使用時) |
4.0×10-3Pa/15min 3.0×10-3Pa/15min (液体窒素使用時) |
ガラスベルジャー (内径φ300mm×高さ300mm) | 12ポート (側面8/底面4) |
□50mm ・ □140mm (Max) ※1：最大基板サイズは膜厚分布を考慮しない時の値となります。 |
1点式 |
SEREM PSE-150C 1 式 0~10V 150A (Max) |
油拡散ポンプ (空冷) (200L/sec) | 有り | 油回転真空ポンプ (100L/min) | インライントラップ OMI-100 | バタフライバルブ | 三方向バルブ | オプション | 手動 | GP-1G | GI-M2 | 730mm (W) ×603mm (D) ×1,161mm (H) | 480mm (W) ×435.3mm (D) ×149mm (H) | 145kg | 40kg | 100V 単相 50/60Hz 1.4kVA | 200V 単相 50/60Hz 1.5kVA | D種 (接地抵抗値 100Ω以下) | ビニルキャプタイヤケーブル (R3.5-4 圧着端子付) 4m | ビニルキャプタイヤケーブル (R2.0-5 圧着端子付) 2m |
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蒸着装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#研究開発 #金属膜 #有機エレクトロニクス #電子顕微鏡試料 #多層膜 #電子部品半導体 #超高真空 #MBE #保護膜排気時間 分
10 - 15 15 - 20 20 - 25排気系主ポンプ
クライオポンプ 油拡散ポンプ ターボ分子ポンプ操作方法
全自動 手動 自動基板サイズ mm
50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 1,000 1,000 - 3,000チャンバーサイズ mm
150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350 350 - 400蒸発方式
抵抗加熱 電子銃 高周波誘導加熱基板加熱温度 ℃
100 - 500 500 - 800 800 - 1,000膜厚分布 %
1 - 5 5 - 15
