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返答率
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返答時間
24.9時間
超高真空チャンバー 形状
ICF-356-N特殊/203/152/114/70
超高真空チャンバー ポート
ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70
超高真空チャンバー 材質
SUS316L
超高真空チャンバー 表面処理
複合電解研磨鏡面仕上げ
超高真空チャンバー 高温処理
真空ベーキング450℃×48時間以上
超高真空チャンバー リーク量
5×10^-11Pa・m3/sec
超高真空チャンバー 到達真空度
1×10^-11Torr以下 (液体窒素シュラウド冷却かつ300l/s以上のターボ分子ポンプまたは、300l/s以上のイオンポンプ使用時)
3軸マニピュレーター Z方向
100mm (上下機構KUD-114/100Z) モーター駆動
3軸マニピュレーター R方向
360° (∞) (回転プラットホームKMRP-114) モーター駆動
3軸マニピュレーター チルト方向
90° (上下機構KUD-114/70SP) モーター駆動
モーターコントローラー
ステッピングモーター用コントローラー 専用ボックス付き
サンプル加熱ヒーター 方式
爪押さえ型
サンプル加熱ヒーター 到達温度
基盤表面温度Max1,200℃
サンプル加熱ヒーター ヒーター材
Ta (ヒーター部) モリブデン (本体) 電極には、ロータリージョイントを採用
下部フランジ 形状
ICF-356/152×4/70×1
下部フランジ ポート
ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70
下部フランジ 材質
SUS316L
下部フランジ 表面処理
複合電解研磨鏡面仕上げ
下部フランジ 高温処理
真空ベーキング450℃×48時間以上
下部フランジ リーク量
5×10^-11Pa・m3/sec
液体窒素シュラウド 材質
ステンレス316L
液体窒素シュラウド 方式
液体窒素溜め込み式 (8/3″パイプ使用)
液体窒素シュラウド 処理
バフ研磨鏡面仕上げ、ヒートサイクル処理 (10回)
液体窒素シュラウド リーク量
5×10^-8Pa・m3/sec
メインシャッター機構 方式
トランスファーロッド方式 (オプション/モーター駆動)
膜厚センサー移動機構
センサー：水晶振動子 (オプション) 取付フランジ：ICF-70 移動距離：100mm (精度0.1mm)
架台
材質：SS材／焼付塗装処理 (黒色) 寸法形状：600×1,200×1,500 (キャスター・アジャスター付き)
AC100V
単相30A
AC200V
三相20A
圧縮空気
5kg／cm2
型番
4元マグネトロンスパッタリング装置取扱企業
北野精機株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 超高真空チャンバー 形状 | 超高真空チャンバー ポート | 超高真空チャンバー 材質 | 超高真空チャンバー 表面処理 | 超高真空チャンバー 高温処理 | 超高真空チャンバー リーク量 | 超高真空チャンバー 到達真空度 | 3軸マニピュレーター Z方向 | 3軸マニピュレーター R方向 | 3軸マニピュレーター チルト方向 | モーターコントローラー | サンプル加熱ヒーター 方式 | サンプル加熱ヒーター 到達温度 | サンプル加熱ヒーター ヒーター材 | 下部フランジ 形状 | 下部フランジ ポート | 下部フランジ 材質 | 下部フランジ 表面処理 | 下部フランジ 高温処理 | 下部フランジ リーク量 | 液体窒素シュラウド 材質 | 液体窒素シュラウド 方式 | 液体窒素シュラウド 処理 | 液体窒素シュラウド リーク量 | メインシャッター機構 方式 | 膜厚センサー移動機構 | 架台 | AC100V | AC200V | 圧縮空気 |
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要見積もり | ICF-356-N特殊/203/152/114/70 | ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70 | SUS316L | 複合電解研磨鏡面仕上げ | 真空ベーキング450℃×48時間以上 | 5×10^-11Pa・m3/sec | 1×10^-11Torr以下 (液体窒素シュラウド冷却かつ300l/s以上のターボ分子ポンプまたは、300l/s以上のイオンポンプ使用時) | 100mm (上下機構KUD-114/100Z) モーター駆動 | 360° (∞) (回転プラットホームKMRP-114) モーター駆動 | 90° (上下機構KUD-114/70SP) モーター駆動 |
ステッピングモーター用コントローラー 専用ボックス付き |
爪押さえ型 | 基盤表面温度Max1,200℃ |
Ta (ヒーター部) モリブデン (本体) 電極には、ロータリージョイントを採用 |
ICF-356/152×4/70×1 | ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70 | SUS316L | 複合電解研磨鏡面仕上げ | 真空ベーキング450℃×48時間以上 | 5×10^-11Pa・m3/sec | ステンレス316L | 液体窒素溜め込み式 (8/3″パイプ使用) | バフ研磨鏡面仕上げ、ヒートサイクル処理 (10回) | 5×10^-8Pa・m3/sec | トランスファーロッド方式 (オプション/モーター駆動) |
センサー：水晶振動子 (オプション) 取付フランジ：ICF-70 移動距離：100mm (精度0.1mm) |
材質：SS材／焼付塗装処理 (黒色) 寸法形状：600×1,200×1,500 (キャスター・アジャスター付き) |
単相30A | 三相20A | 5kg／cm2 |
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蒸着装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#研究開発 #金属膜 #有機エレクトロニクス #電子顕微鏡試料 #多層膜 #電子部品半導体 #超高真空 #MBE #保護膜蒸着方式
抵抗加熱蒸着型 電子ビーム蒸着型成膜環境
真空蒸着型 高真空蒸着型 イナートガス雰囲気型蒸着材料供給方式
単発源型 多元源型特徴機能
自動制御型 高速成膜型 高精度厚さ制御型 クリーン対応型排気時間 分
10 - 15 15 - 20 20 - 25排気系主ポンプ
クライオポンプ 油拡散ポンプ ターボ分子ポンプ操作方法
全自動 手動 自動基板サイズ mm
50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 1,000 1,000 - 3,000チャンバーサイズ mm
150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350 350 - 400蒸発方式
抵抗加熱 電子銃 高周波誘導加熱基板加熱温度 ℃
100 - 500 500 - 800 800 - 1,000膜厚分布 %
1 - 5 5 - 15返答率
100.0%
返答時間
24.9時間
