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返答率
100.0%
返答時間
19.4時間
成膜室 (部屋数)
有機金属共通:1
蒸着源 (元)
有機:8 金属:2
基板サイズ (inch)
2
膜厚分解能 (Å/s)
0.0057Å/s (INFICON社CYGNUS使用)
膜厚センサー導入数 (基)
有機金属共通:4
膜厚センサー冷却方式
水冷 (チラーより0.01℃まで制御可)
有機材料共蒸着
可 (独自のコントロール手法によりホスト1Å/s時ドープ混合率0.1~30wt%)
面内分布 (%)
50mmにて有機膜±3%以内 金属膜±5%以内
前処理室 (室)
1 (基板加熱)
導入室ストッカー数 (段)
5
到達圧力 (Pa)
成膜室+その他:10^-6台 導入室:10
真空排気系
成膜室:クライオポンプ 前処理室:クライオポンプ 導入室:ドライポンプ ドライポンプ (粗引きポンプ)
入力電源
3φ200V130A
自動排気
可 (オプション)
蒸着時の基板加熱
可 (オプション)
グローブボックス接続
可 (オプション)
装置のみ設置スペース (mm)
3,800×1,200
型番
KVD-OLED Evo.2取扱企業
北野精機株式会社カテゴリ
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半導体製造装置の製品183点中、注目ランキング上位6点
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商品画像 | 価格 (税抜) | 成膜室 (部屋数) | 蒸着源 (元) | 基板サイズ (inch) | 膜厚分解能 (Å/s) | 膜厚センサー導入数 (基) | 膜厚センサー冷却方式 | 有機材料共蒸着 | 面内分布 (%) | 前処理室 (室) | 導入室ストッカー数 (段) | 到達圧力 (Pa) | 真空排気系 | 入力電源 | 自動排気 | 蒸着時の基板加熱 | グローブボックス接続 | 装置のみ設置スペース (mm) |
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要見積もり | 有機金属共通:1 |
有機:8 金属:2 |
2 | 0.0057Å/s (INFICON社CYGNUS使用) | 有機金属共通:4 | 水冷 (チラーより0.01℃まで制御可) | 可 (独自のコントロール手法によりホスト1Å/s時ドープ混合率0.1~30wt%) |
50mmにて有機膜±3%以内 金属膜±5%以内 |
1 (基板加熱) | 5 |
成膜室+その他:10^-6台 導入室:10 |
成膜室:クライオポンプ 前処理室:クライオポンプ 導入室:ドライポンプ ドライポンプ (粗引きポンプ) |
3φ200V130A | 可 (オプション) | 可 (オプション) | 可 (オプション) | 3,800×1,200 |
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使用用途が成膜の製品
半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 1 - 2 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260返答率
100.0%
返答時間
19.4時間