High Linearity RF Transistors | RF及び無線制御 RFトランジスタ
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
価格 (税抜)
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返答率
100.0%
型番説明
■概要 多段アンプ内で (たとえばドライバとして) 使用できるように、OIP3値が29dBmを超える低ノイズ広帯域アンプが含まれます。いずれも、インフィニオンによる信頼性の高い大量生産用シリコンバイポーラおよびSiGe:Cテクノロジーに基づいており、クラス最高のノイズ指数を実現しています。以下のサブカテゴリのそれぞれに、モジュール用の鉛フリーTSLP-3極小パッケージに収められた製品が存在します。 ■注意 ゲイン値Gmaxは、それぞれ900MHz (低周波数向け製品および2.5GHzまでの高ゲインに対応したSiトランジスタの場合) 、1.8GHz (2.5GHzまでの高ゲインに対応したSiトランジスタ、6GHzまでの高ゲインに対応したSiGe:Cトランジスタの場合) の周波数に適用されます。ノイズ指数NFminは入力でのノイズ適合によるテスト設備で測定されたものです。記載の値は低周波数に適用されます。OIP3およびOP1dB値は、50オームのシステムで測定されたものであり、適切な負荷インピーダンスを選択することで最適化できます。
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型番
High Linearity RF Transistors
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シリーズ
RF及び無線制御 RFトランジスタ
RF及び無線制御 RFトランジスタ High Linearity RF Transistorsの性能表
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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