インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社のニュース

2024.3.25

インフィニオン、高電力密度と高効率の新しい業界標準となるOptiMOS™ 6 200 V MOSFETを発表



2024年3月13日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、モーター駆動アプリケーションの性能を飛躍的に高めるOptiMOS™ 6 200V MOSFET製品ファミリーを発表しました。この新しいポートフォリオは、電動スクーター、マイクロEV、電動フォークリフトなどのアプリケーション性能を最適化するように設計されています。また、導通損失とスイッチング動作を改善して電磁干渉 (EMI) とスイッチング損失を軽減します。これは、 サーバー、 通信、 蓄電システム (ESS)、 オーディオ、 太陽光発電をはじめとするさまざまなスイッチングアプリケーションにメリットをもたらします。さらに、広い安全動作領域 (SOA) と業界トップクラスのR DS(on) の組み合わせは、 バッテリー マネジメント システム (BMS)などの静的スイッチングアプリケーションに最適です。この新しいOptiMOS™ 6 200V製品ファミリーにより、電力密度、効率、システム信頼性を高め、新しい業界基準を打ち立てることで、インフィニオンはお客様に利益をもたらします。

OptiMOS™ 6 200Vポートフォリオは、前世代のOptiMOS™ 3より技術特性が強化されています。R DS(on) が42%小さくなったことで導電損失が低減され、より大きな出力電力が得られます。ダイオード動作については、OptiMOS™ 3よりソフトリカバリー特性が著しく改善されています (「ソフトさ」が3倍超向上)。Q rr (typ) の最大89%低減と合わせて、より優れたスイッチング動作とEMI特性を実現します。OptiMOS™ 6では、寄生容量(C ossおよびC rss)の線形性も向上しています。これにはスイッチング時の発振を減らし、オーバーシュート電圧を抑える効果があります。V GS(th) のばらつきと相互コンダクタンスが低減されたことは、MOSFETの並列化や分流に有利であり、温度がより均一化されるとともに並列接続するMOSFETの数を減らせます。

OptiMOS™ 6 200V製品はSOAが拡大され、J-STD-020の定める吸湿耐性水準 (MSL) ではレベル1に分類されます。こうしたRoHS準拠の鉛フリー製品は、最新の業界標準に沿っています。

供給状況について

OptiMOS™ 6 200V製品は、幅広いアプリケーションに対応できるように、さまざまなパッケージで供給しています。多彩なパッケージポートフォリオとして、PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D 2PAK-7P、D 2PAK-3Pなどがあります。現在、すべてのバリアントの注文が可能です。詳細は www.infineon.com/optimos-6-power-mosfet-200-v/をご覧ください。

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