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2023.6.27業界トップクラスのデバイス性能を実現した650V耐圧のGaN HEMTを量産開始！ サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムの高効率化・小型化に最適
650V GaN HEMTのデバイス性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss*2）において業界トップクラス（※2023年4月27日ローム調べ）を実現しました。これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にします。また、ESD*3保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与します。さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献します。
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https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2023-04-27_news_gan&defaultGroupId=false
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