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三社電機製作所のSiC MOSFET

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3 点の製品

株式会社三社電機製作所

SiC MOSFET

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■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ...

2種類の品番


株式会社三社電機製作所

ディスクリート / SiC MOSFET

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■パワー半導体とは 三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく...




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