三社電機製作所のSiC MOSFET
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株式会社三社電機製作所
SiC MOSFET
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■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ耐圧でもN-ドリフト層...
2種類の品番
株式会社三社電機製作所
ディスクリート / SiC MOSFET
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■パワー半導体とは 三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく、大きな電流や電圧の...
