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IGBTモジュールのメーカー19社一覧や企業ランキングを掲載中！IGBTモジュール関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:株式会社日立パワーデバイス、2位:三菱電機株式会社、3位:株式会社グローセルとなっています。 IGBTモジュールの概要、用途、原理もチェック！
IGBTモジュールとは、複数のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を1個のモジュールに集積させた高集積モジュールのことです。
IGBTは、従来から用いられているベース電流制御タイプのバイポーラトランジスタと、その弱点を改善したゲート電圧制御タイプの電界効果トランジスタ(FET)の良い所をデバイス構造およびプロセス上の工夫で組み合わせて、昭和後期に日本で発明されました。
当初は絶縁ゲートタイプのバイポーラトランジスタと呼ばれており、その後、「Insulated Gate Bipolar Transistor」の頭文字を並べて、IGBTと呼ばれるようになりました。
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2025年7月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 株式会社日立パワーデバイス |
33.3%
|
| 2 | 三菱電機株式会社 |
13.3%
|
| 3 | 株式会社グローセル |
6.7%
|
| 4 | Vishay Intertechnology, Inc. |
6.7%
|
| 5 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
6.7%
|
| 6 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
6.7%
|
| 7 | 株式会社ハセテック |
6.7%
|
| 8 | Dynex Semiconductor Ltd. |
6.7%
|
| 9 | Littelfuseジャパン合同会社 |
6.7%
|
| 10 | オン・セミコンダクター株式会社 |
6.7%
|
業界別
💻 電子・電気機器項目別
使用用途
#インバータ
#PC
#モータ制御
#再生可能エネルギ
#自動車
#溶接機
#エアコン
#産業用ドライブ
#誘導加熱装置
#ファン
内部構成
単素子型
デュアル型
三相ブリッジ型
パッケージ形状
プレスパック型
絶縁型
電気特性
高耐圧型
高周波スイッチング型
コレクタ電流 A
50 - 100
100 - 200
200 - 300
300 - 400
耐圧 V
500 - 1,000
1,000 - 1,500
1,500 - 2,000
2,000 - 3,000
3,000 - 5,000
ゲート電源内蔵
なし
あり
短絡保護
なし
あり
京セラ株式会社
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イサハヤ電子株式会社
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M57159L-01は、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ホトカプラによって入力ー出力間が電気的に絶縁されており、2電源により駆動可能...
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M57962ALは、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ホトカプラによって入力一出力間が電気的に絶縁されており、2電源により駆動可能で...
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VLA500-01RはIGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ゲート駆動用の絶縁型DC-DC コンバータが内蔵されており、新たにゲート電源を設計...
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VLA500-02RはIGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ゲート駆動用の絶縁型DC-DCコンバータが内蔵されており、新たにゲート電源を設計す...
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弊社標準ハイブリッドICの中核製品群となります。駆動回路のほか、短絡保護回路、ゲート電源まで内蔵したものもラインナップしています...
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VLA500K-11RはIGBTモジュール駆動用混成集積回路です。1次－2次間絶縁耐圧は4,000Vrms (1分間保証) です。ゲート駆動用の絶縁型 DC-DC ...
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VLA502-01Rは IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。VLA500-01Rの高速版です。ゲート駆動用の絶縁型DC-DCコンバータが内蔵されており...
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VLA513-01Rは、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。フォトカプラによって入力ー出力間が電気的に絶縁されており、2電源により駆動可...
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■概要 アレイ形式の絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) は、高電力および高周波アプリケーションを管理する上で重要です。これ...
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧／電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...
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株式会社セイワ
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IGBTのゲートドライバ として使用可能なフォトカプラです。0.6A～4.0A出力が可能な製品がラインナップにあります。
株式会社三社電機製作所
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■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...
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イサハヤ電子株式会社
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VLA520は、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ホトカプラによって入力ー出力間が電気的に絶縁されており、2電源により駆動可能です...
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インバータの高効率化に貢献する大容量IGBT・SiCモジュールをラインアップ。
日本コネクト工業株式会社
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iMOTION™ IPMはモーターコントローラー、三相ゲートドライバー、600V/2Aおよび600V/4Aの各IGBTをDSO-22パッケージで提供。ヒートシンク...
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本ハイブリッドICは、AC400V系3相インバータに使用され、基板直付けによるゲート配線が可能な6素子入り小容量IGBTモジュールの駆動に最...
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M57174L-03は、基板直付けによるゲート配線が可能な小容量IGBTモジュールの駆動に最適な混成集積回路です。 パルストランスにより入カ...
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汎用インバーター、太陽光発電および風力発電等用に開発されたIGBTモジュールです。日本製IGBT Chipを採用。
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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7：高出力密度および最適化されたスイッチング。950 V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力...
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■特徴 ・絶縁型のゲート駆動回路を2系統内蔵 (電源回路付) ・出力ピーク電流最大5A ・入力一出力間絶緣耐圧：2,500Vrms 1分間保証 ・電...
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RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セット...
萩原テクノソリューションズ株式会社
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当社のIGBTモジュールは、2in1、4in1、6in1、 PIM型、3-Level型、Boost型、チョッパー型などの回路構成があり、車載用から産業機器、民...
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IGBTモジュールとは、複数のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を1個のモジュールに集積させた高集積モジュールのことです。
IGBTは、従来から用いられているベース電流制御タイプのバイポーラトランジスタと、その弱点を改善したゲート電圧制御タイプの電界効果トランジスタ(FET)の良い所をデバイス構造およびプロセス上の工夫で組み合わせて、昭和後期に日本で発明されました。
当初は絶縁ゲートタイプのバイポーラトランジスタと呼ばれており、その後、「Insulated Gate Bipolar Transistor」の頭文字を並べて、IGBTと呼ばれるようになりました。
現在ではパワーエレクトロニクス技術と呼ばれていますが、当時IGBTはあまり日の目を見ていなかった専門家だけの特別な世界の技術でした。それがインバータエアコンを始めとした電化製品のインバータ(電力変換技術による省エネ)化や部品の小型高効率モジュール化によって、その内部に格納されているIGBTモジュールの用途は、大電力製品を中心に飛躍的に世の中に広がりました。
現在、大きな電力を必要とする製品に当たり前にIGBTやそのモジュールが使われているのは周知の事実となっています。
IGBTについては、大電流が流れる部分は従来のバイポーラトランジスタ構造を採用し、バイポーラの制御部であるベース部分を(それまでは弱電系の信号回路にしか採用されておらず、高速制御が出来て損失が少ない)FETのゲート回路構造に切り替えた日本が生み出した画期的なパワー半導体です。それらを複数個格納して、保護回路用ダイオードや駆動回路用ICなども含め小型高機能にモジュール化したのが、IGBTモジュールになります。
IGBTは単品(ディスクリート)でも部品として存在しており、モジュールと同じような回路を単品で組むことは可能です。しかし、単品で回路を組んだ場合、一般に基板の大きさがモジュールの倍以上になったり、基板パターン配線の影響で、信号遅延や不安定性などの誤動作を起こしたりする可能性も懸念され、ユーザーにとっては多くの課題が発生します。
それに対して、モジュール化により、高密度配線実装が可能になり、放熱改善による信頼性も考慮されているために、ユーザーは比較的簡便にIGBTを自身の製品に適用することができます。ここがIGBT単体ではなく、IGBTモジュールを用いる最大のメリットと言えるでしょう。
IGBTモジュールの実例として、主流のブラシレスモータを駆動する6個のIGBTを格納したモジュールを説明します。モジュールのパッケージ内に絶縁材料が充填されているのが特徴で、モジュール内の配線も可能な限り最短極太にし、電気的損失を低減図っています。
また放熱板も付加されて、単品で基板実装するよりも明らかに低損失かつ高放熱なIGBTの動作が可能です。よって、モジュール化に伴い、単品(ディスクリート)での対応に比較して、高効率動作と装置の小型化の両立を図ることができます。
現在では、IGBTモジュールは、更に進化したIPM(IGBTに外付けだった高耐圧ドライバーも格納したモジュール:Intelligent Power Module)などとも呼ばれ、その技術革新は今も継続中です。従来の複数のIGBTを一つのパッケージへ集積したモジュールをさらに高性能、高機能化を図るために、IGBT専用の駆動ICや、過電流過熱保護目的の各種保護回路用ICをIGBT一緒に集積し、かつ小型放熱性対策を施したモジュールをIPMと呼ぶことが多いです。
IPMはIGBTの生みの親である日本が得意技術として世界をリードしている分野になります。また、昨今ワイドバンドギャップ半導体である、SiCやGaNといった新規半導体材料を用いたパワーエレクトロニクスの分野もにわかに活況を呈しており、Si基板でのIGBTをEVなどの電気自動車分野を代表例に特性でさらに優れたSiC-MOSFETやGaN-FETへ置き換える動きも出てきています。
とはいえ、これらの新規半導体材料基板はまだウエハー大口径化やコスト、製造能力面でSi基板に及ばないため、当面製品用途でのデバイスやモジュールのすみ分けが続くでしょう。
参考文献
https://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/model/igbt/
https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/products/powermod/igbtmod/index.html
