アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』 (テルモセラ・ジャパン株式会社) のカタログ情報

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アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』

製品個別カタログ

テルモセラ・ジャパン株式会社

東京都
2010年
会社概要

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カタログ紹介

アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。
チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。
マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。  
・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ 
・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
 ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

◉ 基板サイズ：Φ2inch〜4inch 
◉ SUS304水冷式チャンバー 
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal 
◉ 最大3系統プロセスガス入力 
◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション） 
◉ 7"HMIタッチパネル 
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar 
◉ USB端子付、PCデータロギング機能 
◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社） 
◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能）
 ◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属